"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование механизма взаимодействия направленного потока отрицательных частиц газоразрядной плазмы с поверхностью расплава никеля
Колпаков В.А., Подлипнов В.В.1,2
1Самарский государственный аэрокосмический университет им. ак. С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
2Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
Email: podlipnovvv@ya.ru
Поступила в редакцию: 27 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Установлено, что при облучении поверхности расплава никеля структуры никель-кремний отрицательными частицами и электронами газоразрядной плазмы с энергией до 6 keV в приповерхностной области жидкой фазы металла в направлении нормали к поверхности полупроводника возникает градиент пустот атомного размера, называемых "вакансиями". Приведены аналитические и экспериментальные исследования механизма образования "вакансий" и механизма формирования ими направленного потока кремния в направлении поверхности расплава. Показано, что в процессе диффузии атомов полупроводника в расплаве происходит экстракция примесных атомов, служащих рекомбинационными центрами, что значительно повысило пробивное напряжение полупроводниковых диодов.
  • Воробьева Т.Н., Кобец А.В., Рева О.В., Врублевская О.Н. // Сб. статей: Свиридовские чтения. Вып. 7. Минск: Изд-во БГУ, 2011. С. 34-43
  • Березкин В.В., Паламарчук В.И., Кизилов В.Д. // Межвед. научн. сб. Диэлектрики и полупроводники. Киев: Лыбидь (1977). Вып. 11. С. 32-39
  • Stefart G.W. // J. Chem. Phys. 1934. Vol. 2. P. 417-425
  • Фишер И.З. Статистическая теория жидкостей. М.: Физматиздат, 1961. 80 с
  • Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука, 1975. С. 380-381, 390
  • Френкель Я.И. Введение в теорию металлов. М.: Наука, 1972. 250 с
  • Колпаков А.И., Колпаков В.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 15. С. 58-65
  • Комов А.Н., Колпаков А.И., Рафаевич Б.Д. // Приборы и техника эксперимента. 1977. N 1. C. 253-255
  • Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986. 368 с
  • Казанский Н.Л., Колпаков В.А. Формирование оптического микрорельефа во внеэлектродной плазме высоковольтного газового разряда. М.: Радио и связь, 2009. C. 31
  • Вавилов В.С., Киев А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с
  • Валиев К.А., Раков В.А. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1984. 350 с
  • Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. C. 175-180
  • Вавилов В.С., Киев А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. C. 89-97, 259-268, 302-308, 323-325
  • Попов В.К. // Физика и химия обработки материалов. 1976. N 4. C. 11-24
  • Рыкалин Н.Н., Зуев И.В., Углов А.А. Основы электронно-лучевой обработки материалов. М.: Машиностроение, 1978. C. 14, 15
  • Деркач В.П., Корсунский В.М., Сидоренко С.Л. // Физика и химия обработки материалов. 1970. N 4. C. 25-28
  • Колпаков В.П., Колпаков А.И., Подлипнов В.В. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 4. С. 41-46
  • Kazanskiy N.L., Kolpakov V.A., Podlipnov V.V. // Vacuum. 2014. Vol. 101. P. 291-297
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.