Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на образование наложенных голографических дифракционных решеток

Настас А.М.¹, Иову М.С.¹, Тридух Г.М.¹, Присакар А.М.¹

¹Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova

Email: nastas_a@usm.md

Поступила в редакцию: 6 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована оптическая запись двух наложенных голографических решеток, которые были записаны в поле коронного разряда в структуре Ni-As₂S₃. Показано, что использование коронного разряда при записи в структуре Ni-As₂S₃ позволяет увеличить голографическую чувствительность этой структуры и дифракционную эффективность зарегистрированных решеток в несколько раз. Установлено, что при записи двух наложенных решеток поверхностный рельеф, полученный в результате химического травления голографических решеток, при записи которых использовался коронный разряд, является более однородным и отличается большей глубиной модуляции толщины поверхностного рельефа.

Сейсян Р.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 8. С. 1--14
Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. 283 с
Florinel Sava, Mihai Popescu, Adam Lorinczi, Alin Velea // Phys. Status Sol. B. 2013. Vol. 250. N 5. P. 999--1003
Palumbo V., Kovalskiy A., Jain H., Huey B.D. // Nanotechnology. 2013. Vol. 24. N 12. P. 125 706-1-7.
Данько В.А., Индутный И.З., Минько В.И., Шепелявый П.Е., Березнева О.В., Литвин О.С. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 520--524.
Настас А.М., Андриеш В.В., Бивол А.М., Присакарь Г.М., Тридух Г.М. // ПЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 89--94
Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 2. С. 139--142
Андриеш А.М., Бивол В.В., Буздуган А.И., Иову М.С., Панасюк Л.М., Фулга В.И., Тридух Г.М., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Стеклообразные полупроводники в фотоэлектрических системах записи оптической информации Кишинев.: Штиинца, 1988. С. 12--64
Bodurov I., Yovcheva T., Vlaeva I., Viraneva A., Todorov R., Spassov G., Sainov S. // J. Phys. Conf. Series. 2012. Vol. 398. P. 012 053
Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 2. 658 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель