Издателям
Вышедшие номера
Исследование фотоэлектрической составляющей механизма светоиндуцированного падения сопротивления в кристаллах SrTiO3
Шаблаев С.И.1, Грачев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: grach.shuv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Результаты экспериментального наблюдения фотоэдс в образце кристалла SrTiO3, демонстрирующем эффект светоиндуцированного падения сопротивления, подтвердили предложенную ранее модель эффекта в ее фотоэлектрической части. Однако кроме ожидавшегося проявления барьерной фотоэдс обнаружен еще один источник фототока, приписанный проявлению линейного фотогальванического эффекта в приповерхностной области кристалла. Предполагается, что главную роль в генерации фотогальванического тока могут играть дипольные центры типа кислородная вакансия--трехзарядный ион титана, ориентируемые электрическим полем поверхностного барьера.
  • С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 56, 655 (2014)
  • К. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser. Nature Mater. 5, 312 (2006)
  • R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot. Adv. Mater. 21, 2632 (2009)
  • Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. Наука, М. (1992). 208 с
  • R.A. De Souza, V. Metlenko, D. Park, T.E. Weirich. Phys. Rev. B 85, 174 109 (2012)
  • Л.С. Сочава, В.Э. Бурсиан, А.Г. Раздобарин. ФТТ 42, 1595 (2000)
  • V.V. Obukhovsky, A.V. Stoyanov. Ferroelectrics 43, 137 (1982)
  • А.И. Грачев, М.П. Петров, М.В. Красинькова. ФТТ 28, 1530 (1986)
  • P. Salvador, C. Guttierrez, G. Campet, P. Hagenmuller. J. Electrochem. Soc. 131, 550 (1984)
  • P.V. Yudin, A.K. Tagantsev. Nanotechnology 24, 432 001 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.