Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура поверхности CdTe(111)A-(2x2)
Бекенев В.Л.1, Зубкова С.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Киев, Украина
Email: smzubkova@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Опираясь на данные сканирующей туннельной микроскопии, впервые проведены ab initio расчеты электронной структуры четырех вариантов полярной поверхности CdTe(111)A-(2x2), заканчивающейся Cd: идеальной, релаксированной, реконструированной с вакансией иона Cd и реконструированной с последующей релаксацией. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировалась пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Te на противоположной стороне пленки добавлялись 4 фиктивных атома водорода с зарядом 0.5 электрона каждый. Ab initio расчеты проводились с использованием программы QUANTUM ESPRESSO, основанной на теории функционала плотности. В каждом из вариантов определены равновесные координаты 16 (15) атомов Cd и Te верхних "отпущенных" четырех слоев. Показано, что релаксация приводит к расщеплению слоев как в случае нереконструированной, так и реконструированной поверхностей. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полые и послойные плотности электронных состояний. Перемена местами двух верхних атомных слоев 11 и 12 после релаксаций реконструированной поверхности является возможной причиной особенностей поверхностной структуры в этих слоях.
  • Э. Зенгуил. Физика поверхности. Мир, М. (1990). С. 69
  • К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности. Наука, М. (2006). С. 67
  • C.K. Egan, Q.Z. Jiang, A.W. Brinkman. J. Vac. Sci. Technol. A 29, 1, 011021 (2011)
  • G.P. Srivastava. Theoretical modeling of semiconductor surfaces. Chapter 8. Singapore, New Jersey. London, Hong Kong, World Scientific (1999). P. 201
  • Jin Li, J. Gayles, N. Kioussis, Z. Zhang, С. Grein, F. Aqariden. J. Electron. Mater. 41, 10, 2745 (2012)
  • С.М. Зубкова, Л.Н. Русина. Докл. НАНУ 1, 72 (2014)
  • L. Zhu, K.L. Yao, Z.L. Liu, Y.B. Li. J. Phys.: Cond. Matter 21, 9, 095001 (2009)
  • A. Ohtake, J. Nakamura, T. Komura, T. Hanada, T. Yao, Y. Kuramochi, M. Ozeki. Phys. Rev. B 64, 4, 045318 (2001)
  • О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова. Письма в ЖЭТФ 89, 4, 209 (2009)
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Cond. Matter 21 39, 395502 (2009)
  • S. de Lazaro, E. Longo, J.R. Sambrano, A. Beltran. Surf. Sci. 552, 1--3, 149 (2004)
  • S. Piskunov, E. Heifets, R.I. Eglitis, G. Borstel. Comput. Mater Sci. 29, 2, 165 (2004)
  • J. Muscat, F. Wander, N.M. Harrison. Chem. Phys. Lett. 342, 3--4, 397 (2001)
  • E. Heifets, R.I. Eglitis, E.A. Kotomin, J. Maier, G. Borstel. Surf. Sci. 513, 1, 211 (2002)
  • K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 10, 3455 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.