Издателям
Вышедшие номера
Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
Кукушкин С.А.1,2, Осипов А.В.1,2, Рожавская М.М.1,3, Мясоедов А.В.3, Трошков С.И.3, Лундин В.В.3,4, Сорокин Л.М.3, Цацульников А.Ф.1,3,4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Представлены результаты электронно-микроскопического исследования образцов GaN/AlGaN/AlN/ SiC/Si(111), выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Буферный слой эпитаксиального SiC нанометровой толщины получен новым методом замещения атомов на Si (111). Обнаружена сильная зависимость плотности дислокаций и V-дефектов от условий синтеза SiC и толщины слоя AlN. Экспериментально доказано, что создание низкотемпературной вставки AlN с одновременным уменьшением толщины слоя AlN до значений, не превышающих 50 nm, позволяет практически полностью исключить образование V-дефектов в слое GaN. Плотность винтовых и смешанных дислокаций в слое GaN в исследуемых образцах находилась на уровне 5·109-1·1010 cm-2. Развита теоретическая модель образования V-дефектов при росте GaN. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, М.М. Рожавская, А.Ф. Цацульников благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • Л.М. Сорокин, А.Е. Калмыков, В.Н. Бессолов, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин, Н.В. Веселов. Письма в ЖТФ 37, 7, 72 (2011)
  • В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 36, 11, 17 (2010)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Г. Жуков, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, М.М. Рожавская, А.Ф. Цацульников, С.И. Трошков, Н.А. Феоктистов. Письма в ЖТФ 38, 6, 90 (2012)
  • P. Gibart. Rep. Prog. Phys. 67, 667 (2004)
  • V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, A.V. Zubkova, A.V. Osipov, T.A. Orlova, S.N. Rodin, S.A. Kukushkin. Mater. Phys. Mech. 21, 3, 266 (2014)
  • К. Сангвал. Травление кристаллов (теория, эксперимент, применение). Мир, М. (1990). 496 с
  • R. Zuo, H. Yu, N. Xu, X. He. ECS J. Solid State Sci. Technol. 1, 1, P 46 (2012)
  • A. Hirakoa, M. Yoshitania, M. Nishibayashia, Y. Nishikawab, K. Ohkawa. J. Cryst. Growth 931, 237 (2002)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998)
  • А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов. Наука, М. (1980). 411 с
  • А. Келли, Г. Гровс. Кристаллография и дефекты в кристаллах. Мир, М. (1974). 496 с
  • М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько. ФТТ 42, 1948 (2002)
  • М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько. Физическая механика деформируемых наноструктур. Т. II. Янус, СПб (2005). 352 с
  • В.И. Владимиров, А.Е. Романов. Дисклинации в кристаллах. Наука, Л. (1986). 224 с
  • Г.А. Малыгин. ФТТ 37, 2281 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.