Издателям
Вышедшие номера
Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La
Одринский А.П.1, Seyidov M.-H. Yu.2,3, Suleymanov R.A.2,3, Мамедов Т.Г.2, Алиева В.Б.2
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
2Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
3Department of Physics, Gebze Institute on Technology, Gebze, Kocaeli, Turkey
Поступила в редакцию: 22 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Приведены результаты исследования электрически активных дефектов кристаллической структуры в слоистом кристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2 : La методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обнаружены состояния кристалла, различающиеся величиной фотоотклика, изменяющегося в пределах четырех порядков, что интерпретируется на основе различия в состоянии доменной структуры кристалла. Обсуждаются особенности регистрации термоэмиссии с дефектов при наличии дополнительного вклада фотовольтаической составляющей реакции кристалла на возбуждение светом.
  • J.F. Scott. Mater. Sci. 2013, 187 313 (2013)
  • M.-H. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, F.A. Mikailzade, E. Kargi n, A. Odrinsky. J. Appl. Phys. 117, 224 104 (2015)
  • А.П. Одринский, T.Г. Maмедов, М.-H. Yu. Seyidov, В.Б. Алиева. ФТТ 56, 1554 (2014)
  • M.-H. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, A.P. Odrinsky, A.I. Nadjafov, T.G. Mammadov, E.G. Samadli. Jpn. J. Appl. Phys. 50, 05FC08 (2011)
  • М.-H. Yu Seyidov, А.П. Одринский, R.A. Suleymanov, E. Acar, T.Г. Maмедов, В.Б. Алиева. ФТТ 56, 1964 (2014)
  • М.-H. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева. ФНТ 40, 1062 (2014)
  • Ch. Hurter, M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978)
  • S. Ozdemir, M. Bucurgat. Current Appl. Phys. 13, 1948 (2013)
  • А.П. Одринский, Н.М. Казючиц, Л.Ф. Макаренко. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук 4, 102 (2014)
  • С.Б. Вахрушев, В.В. Жданов, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Алахвердиев, Р.А. Алиев, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 245 (1984)
  • J.C. Balland, J.P. Zielinger, M. Tapiero, J.G. Gross, C.N. Noguet. J. Phys. D 19, 71 (1986)
  • А.П. Одринский. ФТП 39, 660 (2005)
  • В.М. Фридкин. Фотосегнетоэлектрики. Наука, М. (1979). 284 с
  • В.И. Белинчер, Б.И. Стурман. УФН 130, 415 (1980)
  • K. Buse. Appl. Phys. B 64, 273 (1997)
  • J. Seidel, D. Fu, S.-Y. Yang, E. Alarcon-Llado, J. Wu, R. Ramesh, J.W. Ager. Phys. Rev. Lett. 107, 126 805 (2011)
  • М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП 10, 209 (1976)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. ПИЯФ РАН, СПб. (1997). 375 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.