Издателям
Вышедшие номера
Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях \111\ при анодной обработке n-GaAs
Орлов А.М.1, Явтушенко И.О.1, Махмуд-Ахунов М.Ю.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: yavigor@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей \111\ n-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости (111) As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей \111\ GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As2O3 и аморфным Ga2O3.
  • W. Zaghdoudi, M. Gaidi, R. Chtourou // J. Mater. Eng. Perform. 22, 869 (2013)
  • M. Saad, M. Naddaf. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 24, 2254 (2013)
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толюанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП 46, 278 (2012)
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толюанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП 45, 1130 (2011).
  • Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП 31, 1383 (1997)
  • Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. ФТТ 46, 913 (2004)
  • Г.М. Мокроусов, О.Н. Зарубина. Изв. Томск. политех. ун-та 313, 25 (2008)
  • Н.А. Торхов. ФТП 37, 1205 (2003)
  • М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Металлургия, М. (1984). 256 с
  • Ю.П. Пшеничнов. Выявление тонкой структуры кристаллов: Справочник. Металлургия, М. (1974). 528 с
  • Н.Г. Рябцев. Материалы квантовой электроники. Сов. радио, М. (1972). 384 с
  • В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников. Наука, М. (1965). 338 с
  • А.М. Орлов, И.О. Явтушенко, М.Ю. Махмуд-Ахунов. ФТТ 57, 1616 (2015)
  • Н.П. Жук. Курс теории коррозии и защиты металлов. Металлургия, М. (1976). 472 с
  • А.М. Орлов, И.О. Явтушенко, А.В. Журавлева. ЖТФ 80, 2, 60 (2010)
  • Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Под ред. Я.С. Уманского. ГИФМЛ, М. (1961). 864 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.