С использованием предложенного автором дифференциального метода анализа спектров люминесценции полупроводников проведен анализ опубликованных ранее спектров фотолюминесценции объемных монокристаллов германия ориентаций (100), (110) и (111) при различных двухосных механических растягивающих напряжениях. С ростом напряжений для всех ориентаций происходит обусловленное сужением прямой запрещенной зоны Ge смещение максимумов дифференциальных спектров в области прямых излучательных переходов в сторону меньших энергий квантов. При этом максимумы дифференциальных спектров в области непрямых излучательных переходов практически не смещаются. Это указывает на независимость ширины непрямой зоны Ge от растягивающих напряжений, по крайней мере при их величинах до ~0.2-0.3%.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.