Издателям
Вышедшие номера
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Алфимова Д.Л.1, Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1, Чеботарев С.Н.1,2
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет им. М.И. Платова (НПИ), Новочеркасск, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Обсуждаются результаты выращивания изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках InAs из жидкой фазы в поле температурного градиента. В рамках модели регулярных растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga-In-P-Sb-As. Исследованы кинетика роста, состав, структурное совершенство и люминесцентные свойства изопериодных гетероструктур GazIn1-zPxSbyAs1-x-y/InAs. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов N 16-38-60127, 16-08-01052, а также гранта Президента Российской Федерации МК-5115.2016.8.
  • Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, И. Исмаилов. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. В кн.: Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника (1980). С. 3
  • C. Ma, M. Dech, L. Tarof, I. Yn. IEEE Trans. Electron Devices B 42, 5, 810 (1995)
  • В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.В. Кузнецов. Письма в ЖТФ 29, 20, 33 (2003)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин. Пятикомпонентные твердые растворы соединений (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ, Ростов на/Д (1992). 193 с
  • Ж.И. Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП 32, 1, 3 (1998)
  • В.В. Кузнецов, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений. СКНЦ ВШ, Ростов н/Д (2003). 376 с
  • Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Неорган. материалы 50, 2, 127 (2014)
  • Л.С. Лунин, А.В. Благин, Д.Л. Алфимова. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. СКНЦ ВШ, Ростов н/Д (2008). 212 с
  • Л.С. Лунин, Сысоев И.А. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. СКНЦ ВШ, Ростов н/Д (2008). 160 с
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 41 (1989)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Сер. физ. 7, 59 (1989)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 4, 540 (1989)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Неорган. материалы 25, 11, 1778 (1989)
  • В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. Металлургия, М. (1991). 176 с
  • В.В. Кузнецов, Е.А. Когновицкая, М.Л. Лунина, Э.Р. Рубцов. Журн. физ. химии 85, 12, 1 (2011)
  • Б.М. Синельников, М.Л. Лунина. Неорган. материалы 48, 9, 995 (2012)
  • В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, В.П. Попов. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1987). 232 с
  • А.В. Благин, Д.П. Валюхов, Л.С. Лунин. Неорган. материалы 44, 8, 903 (2008)
  • В.И. Буддо, В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, И.Е. Марончук. Микроэлектроника АН СССР 7, 1, 70 (1978)
  • Д.Л. Алфимова, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина. Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования 6, 103 (2014).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.