Издателям
Вышедшие номера
Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi2Te2.7Se0.3
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, Спин-поляризованные и спин-упорядоченные системы для технологий нового поколения, EİF-2012-2(6)-39/01/1
Абдуллаев Н.А.1, Алекперов О.З.1, Алигулиева Х.В.1, Зверев В.Н.2, Керимова А.М.1, Мамедов Н.Т.1
1Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
Email: abnadir@physics.ab.az
Поступила в редакцию: 4 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Разработана технология получения тонких пленок твердого раствора Bi2Te2.7Se0.3 термическим испарением в вакууме методом "горячей стенки". Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается данными рентгеновской дифракции и рамановского рассеяния. Исследован транспорт электронов в широкой области температур (1.4-300 K) и магнитных полей вплоть до 8 T. Предполагается, что наблюдаемая слабая антилокализация обусловлена доминирующим вкладом поверхностных состояний топологического изолятора. Оценена длина сбоя фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджана (грант N EIF /GAM-3-2014-6(21)-24/01/1).
  • L. Fu, C. L. Kane. Phys. Rev. B 76, 045 302 (2007)
  • M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
  • X.L. Qi, S. C. Zhang. Phys. Today 63, 33 (2010)
  • J.E. Moore. Nature 464, 194 (2010)
  • L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 12 727 (1993)
  • L.D. Hicks, T.C. Harman, M.S. Dresselhaus. Appl. Phys. Lett. 63, 3230 (1993)
  • L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B 47, 16 631 (1993)
  • J. Chen, H.J. Qin, F. Yang, J. Liu, T. Guan, F.M. Qu, G.H. Zhang, J.R. Shi, X.C. Xie, C.L. Yang, K.H. Wu, Y.Q. Li, L. Lu, Phys. Rev. Lett. 105, 176 602 (2010)
  • Y.S. Kim, M. Brahlek, N. Bansal, E. Edrey, G.A. Kapilevich, K. Iida, M. Tanimura, Y. Horibe, S.W. Cheong, S. Oh. Phys. Rev. B 84, 073 109 (2011)
  • M. Liu, C.Z. Chang, Z. Zhang, Y. Zhang, W. Ruan, K. He, L.L. Wang, X. Chen, J.F. Jia, S.C. Zhang, Q.K. Xue, X.C. Ma, Y. Wang. Phys. Rev. B 83, 16 5440 (2011)
  • Y. Takagaki, B. Jenichen, U. Jahn, M. Ramsteiner, K.-J. Friedland. Phys. Rev. B 85, 115 314 (2012)
  • H. He, G. Wang, T. Zhang, I.K. Sou, G.K.L. Wong, J.N. Wang, H.Z. Lu, S.Q. Shen, F.C. Zhang. Phys. Rev. Lett. 106, 166 805 (2011)
  • R. Venkatasubramanian, E. Sivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature 413, 597 (2001)
  • В.А. Кутасов, Л.Н. Лукъянова, П.П. Константинов. ФТТ 42, 1985 (2000)
  • Л.В. Прокофьева, Д.А. Пшенай-Северин, П.П. Константинов, А.А. Шабалдин. ФТП 43, 1009 (2009)
  • Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-. Наука, М. (1972). 320 с
  • Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, А.М. Керимова, С.Ш. Кахраманов, А.И. Байрамов, H. Miyamoto, K. Wakita, Н.Т. Мамедов, С.А. Немов. ФТП 46, 1163 (2012)
  • W. Richter, H. Kohler, C.R. Becker. Phys. Status Solidi B 84, 619 (1977)
  • D. Teweldebrhan, V. Goyal, A.A. Balandin. Nano Lett. 10, 1209 (2009)
  • Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, Х.В. Алигулиева, А.М. Керимова, К.М. Мустафаева, И.Т. Мамедова, Н.Т. Мамедов, С.А. Немов, П.О. Буланчук. ФТП 47, 586 (2013)
  • Н.А. Абдуллаев, С.Ш. Кахраманов, Т.Г. Керимова, К.М. Мустафаева, С.А. Немов. ФТП 43, 156 (2009)
  • А.А. Абрикосов. Основы теории металлов. Наука, М. (1987). 520 с
  • S.P. Chiu, J.J. Lin. Phys. Rev. B 87, 035 112 (2013)
  • B. Hamdou, J. Gooth, A. Dorn, E. Pippel, K. Nielsch. Appl. Phys. Lett. 102, 223 110 (2013)
  • A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)
  • G. Bergmann. Phys. Rep. 107, 1 (1984)
  • S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys. 63, 707 (1980)
  • H.Z. Lu, S.Q. Shen. Phys. Rev. Lett. 112, 146 601 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.