Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/n+-GaAs путем варьирования параметров n+-GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проекты N 8.1054.2014/К, N 3.285.2014/K, N 3423) Минобрнауки РФ, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824\_а, 15-38-20642 мол\_а\_вед и 16-07-01102\_а), а также при поддержке гранта Президента РФ (МК-8221.2016.2).
M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D 40, R179 (2007)
T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
D.K. Young, E. Johnston-Halperin, D.D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Phys. Lett. 80, 1598 (2002)
M. Kohda, Y. Ohno, K. Takamura, F. Matsukura, H. Ohno. Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1274 (2001)
D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol. 17, 275 (2002)
M. Oltscher, M. Ciorga, M. Utz, D. Schuh, D. Bougeard, D. Weiss. Phys. Rev. Lett. 113, 236602 (2014)
M. Kohda, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno. Physica E 32, 438 (2006)
P. Van Dorpe, Z. Liu, W. Van Roy, V.F. Motsnyi, M. Sawicki, G. Borghs, J. De Boeck. Appl. Phys. Lett. Appl. Phys. Lett. 84, 3495 (2004)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн. 75, 6, 56 (2008)
Е.И. Малышева, М.В. Дорохин, М.В. Ведь, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев. ФТП 49, 1497 (2015)
Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ 52, 2124 (2010)
G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, H. Nickel. Phys. Rev. B 47, 9545 (1993)
Б.П. Захарченя, Ф. Майер. Оптическая ориентация. Наука, Л. (1989). 408 с