М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, М. (1981). 734 с
Дж Барфут, Дж. Тейлор. Полярные диэлектрики. Мир, М. (1981). 526 с
А.С. Сигов. Сорос. образоват. журн. 10, 83 (1996)
И.Л. Багинский, Э.Г. Косцов. Автометрия 4, 88 (1988)
К.Ю. Фроленков, С.Г. Ким. Автометрия 4, 22 (1994)
Н.В. Преснецов, К.Ю. Фроленков. Электрон. пром-сть 4, 29 (2000)
Ю.Я. Томашпольский. Пленочные сегнетоэлектрики. Радио и связь, М. (1984). 192 с
S.V. Tolstousov. Ferroelectrics 100, 151 (1989)
Ho Hyung Lee, D. Hesse, N. Zakharov. Science 296, 5575, 2006 (2002)
R. Ramesh, D.G. Schlom. Science 296, 5575, 1975 (2002)
R. Krause. Electronic Mews 40, 2013, 4 (1994)
В.П. Дудкевич, Е.Г. Фесенко. Физика сегнетоэлектрических пленок. Изд-во Рост. ун-та, Ростов н/Д (1979). 192 с
Г.Б. Бокий, М.А. Порай-Кошиц. Рентгеноструктурный анализ. Изд-во МГУ, М. (1964). 489 с
Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Сов. радио, М. (1977). Т. 2. 768 с
Ю.А. Багряцкий. Рентгенография в физическом металловедении. Металлургиздат, М. (1961). 368 с
Г.В. Курдюмов, Л.И. Лысак. ЖТФ 17, 9, 993 (1947)
Б.Н, Васичев. Электронная микроскопия. Знание, М. (1980). 64 с
Ю.Г. Полтавцев, А.С. Князев. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. Техника, Киев (1990). 207 с
О.С. Моряков. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Элионная обработка. Высш. шк., М. (1990). Кн. 7. 128 с
Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник / Под ред. А.В. Ржанова. Наука, М. (1976). 280 с
K. Sugibuchi, J. Kurogi, H. Endo. J. Appl. Phys. 46, 7, 2877 (1975)
W.J. Merz. Phys. Rev. 95. 3, 690 (1954)
А.А. Бабад-Захряпин. Дефекты покрытий. Энергоатомиздат, М. (1987). 152 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.