Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на подложке полуизолирующего карбида кремния
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avtumarkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2017 г.
Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на подложках монокристаллического карбида кремния. Выбор подложки, обладающей высокой теплопроводностью, обусловлен возможностью применения данных структур в мощных сверхвысокочастотных устройствах. Определены диапазоны температур, разделяющие механизм поверхностной диффузии осаждаемых атомов от диффузии через газовую фазу при росте многокомпонентных пленок. Исследования показали, что массоперенос посредством поверхностной диффузии приводит к формированию зародышей малой высоты, покрывающих большую часть подложки, тогда как массоперенос атомов через газовую фазу приводит к образованию "столбчатой" островковой структуры с малым процентом покрытия подложки и большей высотой островков. А.В. Тумаркин и А.А. Одинец выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ (проект 16-29-05147 офи_м) и Минобрнауки России (государственное задание N 3.3990.2017.ПЧ). DOI: 10.21883/FTT.2017.12.45230.157
- C. Luo, J. Ji, F. Ling, D. Li, J Yao. J. Alloys Comp. 687, 458--462 (2016)
- J.W. Kim, H. Shima, T. Yamamoto, S. Yasui, H. Funakubo, T. Yamada, K. Nishida. Proc. IEEE ISAF, 7172665 (2016)
- Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, В.П. Бокарев, Ю.И. Плотников. Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника 1, 161, 42 (2016)
- О.Г. Вендик. ФТТ 51, 1441 (2009)
- O. Soldatenko, T. Samoilov, A. Ivanov, A. Kozyrev, D. Ginley, T. Kaydanova. Appl. Phys. Lett. 89, 232 (2006)
- L. Song, Y. Chen, G. Wang, L. Yang, J. Ge, X. Dong, P. Xiang, Y. Zhang, X. Tang. J. Am. Ceram. Soc. 97, 3048 (2014)
- А.В. Тумаркин, С.В. Разумов, А.Г. Гагарин, А.А. Одинец, А.К. Михайлов, И.П. Пронин, В.М. Стожаров, С.В. Сенкевич, Н.К. Травин. ПЖТФ 42, 8, 70 (2016)
- S.V. Razumov, A.V. Tumarkin, M.M. Gaidukov, A.G. Gagarin, A.B. Kozyrev, O.G. Vendik, A.V. Ivanov, O.U. Buslov, V.N. Keys, L.C. Sengupta, X. Zhang. Appl. Phys. Lett. 81, 1675 (2002)
- С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). Наука, СПб. (1996). 304 с
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 86, 1370 (1999)
- S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 207, 302 (1992)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Prog. Surf. Sci. 51, 1 (1996)
- В.В. Афросимов, Р.Н. Ильин, С.Ф. Карманенко, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков. ФТТ 45, 1070 (2003)
- А.В. Тумаркин, И.Т. Серенков, В.И. Сахаров. ФТТ 52, 2397 (2010)
- А.В. Тумаркин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Анкудинов, А.А. Одинец. ФТТ 57, 796 (2015)
- А.В. Тумаркин, И.Т. Серенков, В.И. Сахаров, В.В. Афросимов, А.А. Одинец. ФТТ 58, 354 (2016)
- А.В. Тумаркин, В.И. Альмяшев, С.В. Разумов, М.М. Гайдуков, А.Г. Гагарин, А.Г. Алтынников, А.Б. Козырев. ФТТ 57, 540 (2015)
- V.V. Afrosimov, R.N. Il'in, S.F. Karmanenko, F.F. Melkov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov. Thin Solid Films 492, 146 (2005)
- J. Roy, S. Chandra, S. Das, S. Maitra. Rev. Adv. Matter Sci. 38, 29 (2014)
- R.G. Munro, S.J. Dapkunas. J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 98, 607 (1993)
- С.В. Разумов, А.В. Тумаркин, М.В. Сыса, А.Г. Гагарин. ПЖТФ 29, 1 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
