Издателям
Вышедшие номера
Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7:Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик
Тагиев Б.Г.1, Касумов У.Ф.1, Мусаева Н.Н.1, Джаббаров Р.Б.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: ulvi@azintex.com
Поступила в редакцию: 27 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Впервые представлены вольт-амперные характеристики монокристалла Ca4Ga2S7:Eu3+ и предпринята попытка теоретического обоснования процессов, обусловливающих их форму. Показано, что монокристаллы Ca4Ga2S7:Eu3+ являются высокоомными полупроводниками с удельным сопротивлением ~109 Omega·cm и относительной диэлектрической проницаемостью 10.55. Электрические свойства данных материалов определяют ловушки с энергиями активации 0.13 и 0.19 eV и концентрацией 9.5·1014-2.7·1015 cm-3. В слабых электрических полях имеет место монополярная инжекция носителей тока. В полях, превышающих 4·103 V / cm, происходит термополевая ионизация этих ловушек согласно теории Пула--Френкеля. При низких температурах в сильных полях (160 K и 5·104 V / cm) прохождение тока, по всей видимости, обусловлено прыжковой проводимостью носителей заряда по уровням в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми.
  • B.G. Tagiev, R.B. Jabbarov, U.F. Kasumov, A.N. Georgobiani, N.N. Musaeva. New Technologies for 21-=SUP=-st-=/SUP=- Century 2, 58 (1999)
  • A.N. Georgobiani, B.G. Tagiev, O.B. Tagiev, R.B. Jabbarov, N.N. Musaeva, U.F. Kasumov. Jpn. J. Appl. Phys. 39--1, 434 (2000)
  • Б.Г. Тагиев. У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, О.Б. Тагиев. Неорган. материалы 36, 1, 7 (2000)
  • Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, О.Б. Тагиев. Неорган. материалы 37, 12, 1430 (2001)
  • Б.Г. Тагиев, А.Н. Георгобиани, О.Б. Тагиев, Р.Б. Джаббаров, У.Ф. Касумов, Э.Ф. Гамбаров. Неорган. Материалы, в печати
  • Б.Г. Тагиев, У.Ф. Касумов, Р.Б. Джаббаров, Н.Н. Мусаева, С.А. Абушов. ФТП 34, 1170 (2000)
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Наук. думка, Киев (1981). 256 с
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Ю.Г. Письменный. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Наук. думка, Киев. Вып. 11. С. 96. (1973)
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Е.П. Шульга. УФЖ 23, 291 (1978)
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорик, Е.П. Шульга. УФЖ 21, 370 (1977)
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, Е.П. Шульга. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Наук. думка, Киев, (1979). Вып. 29. С. 48
  • А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. В сб.: Микроэлектроника (1981). N 10. С. 99
  • Ю.Г. Гусев, А.М. Иванов, А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, П.С. Смертенко. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Наук. думка, Киев, (1988). Вып. 14. С. 26
  • А.Н. Зюганов. УФЖ 15, 45 (1974)
  • O.B. Tagiev, G.H. Kasimova. Phys. Stat. Sol. (a) 128, 167 (1981)
  • Ya.I. Frenkel. Phys. Rev. 54, 657 (1938)
  • P.N. Murgatroud. J. Phys. 3, 2, 151 (1970)
  • R.M. Hill. Thin Solid Films 8, R21 (1971)
  • А.Н. Георгобиани, В.И. Демин, Е.С. Логазинская. В сб.: Труды ФИАН им. П.Н. Лебедева. (1987). Т. 182. С. 69
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 416 с
  • Б.И. Шкловский. ФТП 6, 2335 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.