"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние состава твердого раствора на высокотемпературную микротвердость гетероэпитаксиальных слоев SiGe, выращенных на подложках Ge и Si

Меженный М.В.¹, Мильвидский М.Г.², Югова Т.Г.¹

¹ФГУП "Гиредмет", Москва, Россия
²Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия

Email: icpm@mail.girmet.ru

Поступила в редакцию: 4 февраля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние состава эпитаксиальных слоев (ЭС) твердого раствора (TP) Si_xGe_1-x, выращенных на Ge- и Si-подложках, на микротвердость и длину дислокационных розеток, образующихся вокруг отпечатков индентора (при гомологической температуре 0.5T_melt для соответствующего сплава). Для ЭС ТР Si_xGe_1-x/Ge (0=<q x<0.15) и Si_xGe_1-x/Si (0.85<x=<q 1) зависимости микротвердости и длины дислокационных розеток от состава ТР носят немонотонный характер. Наиболее вероятной причиной обнаруженного немонотонного изменения пластичности ЭС является упрочнение ТР в определенном диапазоне составов, обусловленное их спинодальным распадом с образованием кластеров и дисперсных выделений.

М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях полупроводниковых материалов. Металлургия, М. (1985)

I. Yonenaga. Physica B 273--274, 612 (1999)

B. Roos, H. Richter, J. Wollweber. Solid State Phenomena 47--48, 509 (1996)

D.Y. Watts, A.F.W. Willoughby. Mater. Lett. 2, 355 (1984)

В.М. Глазов, В.Н. Вигдорович. Микротвердость металлов и полупроводников. Мир, М. (1971)

В.Р. Регель, А.И. Слуцкер, Э.Е. Томашевский. Кинетическая природа прочности твердых тел. Наука, М. (1974). С. 456

L. Garbato, A. Rucci. Phil. Mag. 35, 6, 1681 (1977)

С.С. Горелик, Ю.М. Литвинов, М.Г. Лозинский. Электронная техника. Сер. 6. Материалы 6, 54 (1975)

V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, T.G. Yugova, K.L. Lyutovich, S.M. Saidov. J. Cryst. Growth 141, 109 (1994)

T.G. Yugova, V.I. Vdovin, M.G. Mil'vidskii, L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, N.V. Abrosimov. Thin Solid Films 336, 112 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель