Метод Берглунда для определения релаксации потенциала полупроводниковой поверхности структуры металл--диэлектрик--полупроводник при изменении напряжения на структуре справедлив только в отсутствие конвективных токов в диэлектрике. В данной работе предложен метод определения релаксации потенциала при наличии конвективных токов. Кроме того, рассматриваются токи, возникающие в структуре благодаря изменению разности контактного потенциала при вариации температуры.
C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 13 (10), 701 (1966)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., J. Willey \& Sons, 1982)
С.Г. Дмитриев. ФТП, 43 (6), 854 (2009)
D.M. Fleetwood, M.J. Johnson, T.L. Meisenheimer, P.S. Winokur, W.L. Warren, S.C. Witczak. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS- 44 (6), 1810 (1997)
C. Sah, S. Pan, C. Hsu. J. Appl. Phys., 57 (12), 5148 (1985)
J. Chevallier. Def. Dif. Forum, 131- 132, 9 (1996)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 42 (1), 45 (2008)
G. Hetherington, K.H. Jack, M.W. Ramsay. Phys. Chem. Glasses, 6 (1), 6 (1965)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
C. Herring, M.H. Nichols. Rev. Mod. Phys., 21 (2), 185 (1949)
C.D. Thurmond. J. Electrochem. Soc., 122 (8), 1133 (1975)
V. Alex, S. Finkbeiner, J. Weber. J. Appl. Phys., 79 (9), 6943 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.