"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия
Тихов С.В.1, Шоболов Е.Л.1, Левичев С.Б.1, Байдусь Н.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: fdp@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя.
  • Евдокимов А.В., Муршудли М.Н., Подлепецкий и др. // Зарубежная электронная техника. 1988. N 2 (321). С. 3--39
  • Petersson L.G., Dunnetum H.M., Fogelbery J. et al. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58. N 1. P. 404--416
  • Johansson M., Lundstrom I., Ekedahi L.D. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. N 1. P. 44--51
  • Гаман В.И., Дробот П.И., Дученко М.О. и др. // Поверхность. 1996. N 11. С. 64--73
  • Тихов С.В., Лесников В.П., Подольский В.В. и др. // ЖТФ. 1995. Т. 65 (11). С. 120--125
  • Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. // Изв. вузов. Физика. 1988. N 1. С. 69--83
  • Слободчиков С.В., Салихов К.Н. // ФТП. 2000. Т. 34 (3). С. 290--296
  • Тихов С.В., Павлов Д.А., Шиляев П.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28 (9). С. 1--5
  • Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Б.Н. и др. // ФТП. 2002. Т. 36 (5). С. 582--586
  • Карпович И.А., Аншон А.В., Филатов Д.О. // ФТП. 2001. Т. 32 (9). С. 1089--1095
  • Звонков Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В. и др. // ФТП. 2001. Т. 35 (1). С. 92--97
  • Родерик Э.К. Константы металл--полупроводник. М., 1982. 207 с
  • Chesters S. et al. // Proc. of Institute of Environmental Sciencs. 1990. Vol. 316
  • Фредер Е. Фракталы. М.: Мир, 1991. 256 с
  • Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N. et al. // Nanotechnology. 2001. N 12. P. 405--429
  • Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28 (8). С. 28--32
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.