"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием
Паранчич С.Ю.1, Паранчич Л.Д.1, Макогоненко В.Н.1, Танасюк Ю.В.1, Юрценюк Р.Н.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: rektor@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 18 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe : V) с концентрацией примеси 5·1018 cm-3, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr--CdTe : V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства.
  • Zha M., Gorog T., Zappettini A. et al. // J. Crystal Growth. 2002. Vol. 234. P. 184--189
  • Гнатенко Ю.П., Гамерник Р.В., Фарина И.А. и др. // ФТТ. 1998. Т. 40. N 7. С. 1216--1220
  • Sochinskii N.V., Munoz V., Perez J.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 72. N 16. P. 2023--2025
  • Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю. и др. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 9. С. 1099--1102
  • Kosyachenko L.A., Sklyarchuk V.M., Sklyarchuk Ye.F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1999. Vol. 14. P. 373--377
  • Косяченко Л.А., Раренко И.М., Боднарук О.А. и др. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 12. С. 1438--1442
  • Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М., 1975. 432 с
  • Ponpon J.P. // Sol. St. Electron. 1985. Vol. 28. N 7. P. 689--706
  • Selber H.R., Peka P., Schultz H.-J. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1999. Vol. 14. P. 521--527
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.