Электрические свойства поверхностно-барьерной фотодиодной структуры на основе HgInTe
Косяченко Л.А.1, Паранчич Ю.С.1, Макогоненко В.Н.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1, Герман И.И.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: rektor@chnu.cv.ua
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Исследованы поверхностно-барьерные фотодиоды, полученные вакуумным напылением полупрозрачного слоя золота на монокристаллы Hg3In2Te6. Приведены вольт-амперные характеристики при температурах 5-50oC и спектры фоточувствительности в актуальном для волоконно-оптической связи диапазоне 0.6-1.8 mum. Механизмы переноса заряда интерпретируются в рамках генерации--рекомбинации в области пространственного заряда диодной структуры.
Streetman B.G., Banerjee S. Solid State Electronic Devices. 5-=SUP=-th-=/SUP=- ed. New Jersey: Prentice Hall, 2000
Малик А.И., Грушка Г.Г., Тевс Н.Р. // ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 6. С. 146--147
Малик А.И., Грушка Г.Г. // ЖТФ. 1990. Т. 60. Вып. 10. С. 188--190
Грушка Г.Г., Грушка З.М., Говалешко Н.П. // УФЖ. 1985. Т. 30. N 2. С. 304--307
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973
Products of GPD Optoelectronics Corp. http://www.gpd-ir.com
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984
Sah C., Noyce R., Shockley W. // Proc. IRE. 1957. Vol. 45. P. 1228
Косяченко Л.А., Махний В.П., Потыкевич И.В. // Укр. физ. журн. 1978. Т. 23. N 2. C. 279
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук