Вышедшие номера
Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
Вальковский Г.А.1, Байдакова М.В.1, Брунков П.Н.1, Конников С.Г.1, Ситникова А.А.1, Яговкина М.А.1, Задиранов Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: xray@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Возможности комплексной диагностики многослойных периодических систем, используемых для создания зеркал жесткого ультрафиолетового диапазона, продемонстрированы на примере структур Mo/Si, выращенных методом магнетронного распыления при различных технологических условиях. Результатами комплексного исследования явились взаимосогласованные данные о толщинах и кристаллической структуре слоев, а также о качестве интерфейсов. На основе данных атомно-силовой микроскопии было проведено сопоставление шероховатости поверхностей подложек и выращенных на них многослойных систем. Анализ функций спектральной плотности мощности показал, что низкочастотная шероховатость наследуется от подложки, тогда как высокочастотная может быть сглажена в процессе роста. Методом рентгеновской дифрактометрии с использованием моды тонких пленок было показано, что исследованные образцы обладают различной кристаллической структурой слоев Mo от аморфной и поликристаллической до тестурированной в направлении [110]. Анализ данных просвечивающей электронной микроскопии подтвердил различие степени кристалличности Mo-слоев. Методом рентгеновской рефлектометрии были определены толщины отдельных слоев, период и невоспроизводимость толщин и периода. Была оценена среднеквадратичная амплитуда шероховатости интерфейсов и показано существование переходных слоев, формирующихся главным образом за счет Si слоя. В результате на основе проведенного исследования была предложена стратегия анализа многослойных периодических систем с наноразмерными слоями. Работа выполнена с использованием оборудования регионального ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ.
  1. Р.П. Сейсян. ЖТФ 75, 5, 1 (2005)
  2. S. Bajt, D.G. Stearns, P.A. Kearney. J. Appl. Phys. 90, 1017 (2001)
  3. E. Meltchakov, V. Vidal, H. Faik, M.-J. Casanove, B. Vidal. J. Phys.: Cond. Matter 18, 3355 (2006)
  4. S. Schroder, T. Feigl, A. Duparre, A. Tunnerman. Optical Express. 15, 13997 (2007)
  5. S.S. Andreev, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, M.N. Haidl, E.B. Kluenkov, K.A. Prokhorov, N.I. Polushkin, E.N. Sadova, N.N. Salashchenko, L.A. Suslov, S.Yu. Zuev. Thin Solid Films 415, 123 (2002)
  6. H. Maury, J.-M. Andre, K.L. Guen, N. Mahne, A. Giglia, S. Nannarone, F. Bridou, F. Delmotte, P. Jonnard. Surf. Sci. 603, 407 (2009)
  7. G.A. Valkovskiy, M.V. Baidakova, P.N. Brunkov, S.G. Konnikov, M.A. Yagovkina, Ju.M. Zadiranov. Phys. Status Solidi A 208, 2623 (2011). DOI:10.1002/pssa.201184274
  8. A. Ulyanenkov, R. Matsuo, K. Omote, K. Ibana, J. Harada, M. Ishino, M. Nishii, O. Yoda. J. Appl. Phys. 87, 7255 (2000)
  9. M. Putero-Vuaroqueaux, H. Faik, B. Vidal. J. Phys.: Cond. Matter 14, 8955 (2002)
  10. J.M. Freitag, B.M. Clemens. J. Appl. Phys. 89, 1101 (2001)
  11. H. Maury, P. Jonnard, J.-M. Andre, J. Gautier, M. Roulliay, F. Bridou, F. Delmotte, M.-F. Ravet, A. Jerome, P. Holliger. Thin Solid Films 514, 278 (2006)
  12. S.K. Rai, Arijeet Das, A.K. Srivastava, G.S. Lodha, Rajnsh Dhawan. Appl. Surf. Sci. 257, 10704 (2011)
  13. A. Paul, G.S. Lodha. Phys. Rev. B 65, 245416 (2002)
  14. I. Nedelcu, R.W.E. van de Kruijs, A.E. Yakshin, F. Bijkerk. Phys. Rev. B 76, 245404 (2007)
  15. E. Louis, A.E. Yakshin, T. Tsarfati, F. Bijkerk. Prog. Surf. Sci. 86 ( 11-- 12), 255 (2011)
  16. S.D. Hector, E.M. Gullikson, P. Mirkarimi, E. Spiller, P. Kearney, J. Folta. Proc. SPIE 4562, 863 (2002)
  17. D.G. Stearns, D.P. Gaines, D.W. Sweeney, E.M. Gullikson. J. Appl. Phys. 84, 1003 (1998)
  18. A. Patelli, J. Ravagnan, V. Rigato, G. Salmaso, D. Silvestrini, E. Bontempi, L.E. Depero. Appl. Surf. Sci. 238, 262 (2004)
  19. R.W.E. van de Kruijs, E. Zoethout, A.E. Yakshin, I. Nedelcu, E. Louis, H. Enkisch, G. Sipos, S. Mullender, F. Bijkerk. Phys. Rev. B 76, 245404 (2007)
  20. A. Erko, M. Idir, T. Krist, A.G. Michette. Modern developments in x-ray and neutron optics. Springer, Berlin. (2008). 534 p
  21. S.Y. Lee, S.M. Hur, H.J. Kim, C.S. Yoon, Y.T. Lee, I.Y. Kang, Y.C. Chung, M. Yi, C.K. Bok, O. Kim, J. Ahn. Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4086 (2002)
  22. P. Siffalovic, E. Majkova, L. Chitu, M. Jergel, S. Luby, J. Keckes, G. Maier, A. Timmann, S.V. Roth, T. Tsuru, T. Harada, M. Yamamoto, U. Heinzman. Vacuum 84, 19, (2010)
  23. E. Spiller, S. Baker, P. Mirkarimi, V. Sperry, E.M. Gullikson, D.G. Stearns. Appl. Opt. 42, 4049 (2003)
  24. R.D. Tarey, R.S. Rastogi, K.L. Chopra. The Rigaku J. 4, 11 (1987)
  25. B. Wu, A. Kumar. J. Vac. Sci. Technol. B 25, 1743 (2007)
  26. V. Bakshi. EUV Lithography. SPIE Press, Bellingham (2009). 673 p
  27. S. Jakobs, A. Duparre, H. Truckenbrodt. Appl. Opt. 37, 1180 (1998)
  28. H. Dosch. Phys. Rev. B 35, 2137 (1987)
  29. База данных по порошковым дифрактограммам неорганических и органических веществ ICDD, www.icdd.com, PDF-2 (2005)
  30. A. Ulyanenkov. Proc. SPIE, 5536, 1 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.