Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
"Аномальный" спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: task99@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Исследованы изменения спектров низкотемпературной (T=77 K) краевой фотопроводимости кристаллов CdS, вызванные действием на поверхность образца внешнего поперечного электрического поля. В ряде кристаллов обнаружен "аномальный" характер этих изменений, анализ которого позволил установить существенную роль приповерхностных эффектов экранирования электрон-дырочного взаимодействия в формировании спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS с технологическим избытком кадмия вблизи поверхности. Показано, что обедняющее (обогащающее) поперечное поле приводит к ослаблению (усилению) эффектов экранирования в спектрах фотопроводимости CdS.
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во СПбГУ, СПб. (2003). 244 с
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, С.Р. Григорьев, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. Вестн. СПбГУ. Сер. 4. 1 (4), 125, (1996)
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, О.Э. Ботов, Н.В. Карасенко, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова. ФТТ 40, 941 (1998)
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.В. Жукова, Б.В. Новиков, Э.И. Читыров. Тр. V Межд. конф. "Оптика, оптоэлектроника и технологии". Изд-во УлГУ, Ульяновск, (2003). C. 116
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.В. Жукова, Б.В. Новиков, Э.И. Читыров. ФТТ 45, 1961 (2003)
- А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, С.Ю. Емельянцева, Б.В. Новиков, Е.В. Сумьянова, Э.И. Читыров. Тр. VII Межд. конф. "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Изд-во УлГУ, Ульяновск (2005). С. 143
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Наука, М. (1971). 480 с
- Б. Сегал. Зонная структура. В кн.: Физика и химия соединений АIIВVI / Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). С. 13
- Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ 1, 357 (1959)
- Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ 3, 1249 (1961)
- В.Л. Броуде, Н.М. Чиковани. УФЖ 7, 171 (1962)
- А.В. Ильинский, Б.В. Новиков, С.И. Сутулова. ФТТ 16, 3029 (1974)
- J.A. Bragagnolo, K.W. Boer. Phys. Status Solidi A 21, 291 (1974)
- А.С. Батырев, Э.Д. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков, В.С. Анбушинов. ФТТ 41, 1181 (1999)
- Н.Б. Лукьянчикова. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Радио и связь, М. (1990). 295 с
- J.A. Bragagnolo, C. Wright, K.W. Boer. Phys. Status Solidi A 24, 147 (1974)
- R. Boyn. Phys. Status Solidi 29, 307 (1968)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). 672 с
- Ю.И. Уханов.Оптические свойства полупроводников. Наука, М. (1977). 368 с
- J.G. Gay. Phys. Rev. B 4, 2567 (1971); 6, 4884 (1972)
- Н.Н. Зиновьев, И.Д. Ярошецкий. ФТП 14, 464 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
