Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическое исследование резонансных состояний в GaN_xAs_1-x

Гуткин А.А.¹, Брунков П.Н.¹, Гладышев А.Г.¹, Крыжановская Н.В.¹, Берт Н.Н.¹, Конников С.Г.¹, Hopkinson M.², Patane A.³, Eaves L.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Department of Electronic and Electrical Engeneering, University of Sheffield, S3 3JD Sheffield, UK
³School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, NG7 2RD Nottingham, UK

Поступила в редакцию: 20 февраля 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для обнаружения резонансных состояний в GaN_xAs_1-x предложено исследовать спектры собственной фотолюминесценции при комнатной температуре или высоких уровнях возбуждения, позволяющих заселить создаваемыми светом носителями высокоэнергетические состояния в разрешенных зонах. С помощью этих методов в объемных слоях GaN_xAs_1-x (x=< 0.015) обнаружены состояния с энергетическими уровнями в зоне проводимости. Эти уровни создают полосу с полушириной около 0.07 эВ, максимум плотности в которой при температуре 290 и 80 К находится соответственно на ~1.4 и ~1.48 эВ выше потолка валентной зоны. Положение этого максимума относительно валентной зоны практически не зависит от содержания азота во всем исследованном диапазоне 0.0005=< x=< 0.015. Предполагается, что эти состояния связаны с различными кластерами атомов азота. PACS: 78.55.Cr; 71.20.Nr

M. Weyers, M. Sato, H. Ando. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Status Solidi B, 223, 75 (2001)
C. Skierbizewski, I. Gorczyca, S.P. Lepkowski, J. Lusakowski, J. Borysiuk, J. Toivonen. Semicond. Sci. Technol., 19, 1189 (2004)
P.R. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115 208 (2001)
X. Liu, M.-E. Pistol, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 42, 7504 (1990)
B.A. Weinstain, S.R. Stambach, T.M. Ritter, J.O. Maclean, D.J. Wallis. Phys. Rev. B, 68, 035 336 (2003)
Y. Zhang, B. Fluegel, M.C. Hanna, A. Mascarenhas, Lin-Wang Wang, Y.J. Wang, X. Wei. Phys. Rev. B, 68, 075 210 (2003)
Y. Zhang, A. Mascarenhas, J.F. Geisz, H.P. Xin, C.W. Tu. Phys. Rev. B, 63, 085 205 (2001)
H. Gruning, L. Chen, Th. Hartman, P.J. Klar, W. Heimbrodt, F. Hohnsdorf, J. Koch, W. Stolz. Phys. Status Solidi B, 215, 39 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель