Приведены предварительные результаты исследования ориентации нематического жидкого кристалла 5 CB на поверхности монокристаллического кремния, обработанного фокусированным пучком ионов Ga с энергией 30 keV. Показано, что гомеотропная или наклонная ориентация нематика может быть получена контролируемым образом в зависимости от дозы облучения. Продемонстрирована возможность получения разных рисунков поверхности с требуемой ориентацией нематика микронного разрешения, которые задаются растром ионного пучка.
Sun Z.M., Engels J.M., Dozov I., Durand G. // J. Phys. II France. 1994. Vol. 4. P. 59--73
Yaroshchuk O., Zakrevskyy Yu., Dobrovolskyy A., Pavlov S. // Porc. SPIE> 2001. Vol. 4418. P. 49--53
Monkade M., Boix M., Durand G. // Europhys. Lett. 1988. Vol. 5. P. 697--701
Schadt M., Schmidt K., Kozinkov V., Chigrinov V. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 31. N 7. Pt. 1. P. 2155--2164
Ruetschi M., Grutter P., Funfschilling J., Guntherodt H.J. Science. 1994. Vol. 265. P. 512--514
Lin T.C., Chao C.Y. // Jpn. J. Appl. Phys. 2008. Vol. 47. N 6. P. 4583--4585
MoberlyChan W.J., Adams D.P., Aziz M.J., Hobler G., Schenkel Th. MRS Bulletin. 2007. Vol. 32. P. 424--432
Gumming K.D., Harriot L.R., Chi G.C., Ostermayer F.W. // Proc. SPIE. 1986. Vol. 632. P. 93--98
Jones K.S., Cyulai J. Ion Implantation Science and Technology / Ed. by J.F. Zieglar. Yorktown: Ion Implantation Technology Co, 1996. P. 261--292
Kim J.B., Kim K.C., Ahn H.J., Hwang B.H., Hyun D.Ch., Baik H.K. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 043 515
Zhang X.G. Electrochemistry of Silicon and Its Oxide. NY: Kluwer Academic--Plenum Publishers, 2001. 61 p
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.