Исследована устойчивость системы кристалл-расплав и скорости кристаллизации по Ляпунову для выращивания кристаллов ниобата лития методом низкого уровня расплава. Рассчитаны зависимости времени релаксации от условий выращивания. Построены расчетные графики переходных процессов при различных возмущениях. Показано, что для получения оптически однородных кристаллов необходимо соблюдать условия устойчивости именно скорости кристаллизации, а не системы кристалл-расплав в целом, причем максимум устойчивости скорости кристаллизации достигается при максимальном градиенте температуры на фронте кристаллизации и минимальном уровне расплава в тигле.
Смирнов П.В. Способ выращивания кристаллов и устройство для его осуществления. Патент РФ N 2320791. Приоритет от 08.06.2006.
Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Теоретическая физика. М.: Наука, 1986. Т. 6. 736 с
Смирнов П.В., Антонов П.И. // Тез. докл. национальной конференции по росту кристаллов. М. 2006. С. 482
Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988. 240 с
Лейбович В.С. Динамика процессов кристаллизации и расплава. Рост кристаллов / Отв. ред. В.И. Гиваргизов, С.А. Гринберг, М.: Наука, 1986. Т. 15. С. 143
Gabrieyan V.T., Smirnov V.B., Smirnov P.V. // Proc. 4-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. Single Crystal Growth and Heat and Mass Transfer. Obninsk, Russia, 2001. P. 258--267
Габриелян В.Т., Смирнов В.Б., Смирнов П.В., Ковалевский Д.В. // "Лазерные исследования в Санкт-Петербургском государственном университете". СПб: СпбГУ, 2004. Вып. 3. С. 255
Ковалевский Д.В., Смирнов П.В. // Там же. 2007. Вып. 5. С. 68
Satunkin G.A. // J. Crystal Growth. 1995. Vol. 154. P. 172--188
Marin C., Ostrogorsky A.G., Foulon D., Jundt D., Motakef S. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. N 10. P. 1379--1381
Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя / Пер. Г.А. Вольперта. М.: Наука, 1974. (Schlichting H. Grenzschicht-Theorie. Karlsruhe, 1970)
Golyshev V.D., Gonik M.A. // Crystal Properties and Preparation. 1991. Vol. 36--38. P. 623--630
Редькин Б.С., Сатункин Г.А., Курлов В.Н., Татарченко В.А. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1986. Т. 15. С. 210--216
Tsukada T., Hozawa M., Imaishi N.J. // Chem. Eng. Jpn. 1994. Vol. 27/1. P. 25--31
Anzai Y., Kimura S., Sawada T., Rudolph T., Shigematsu K. // J. Crystal Growth. 1993. Vol. 134. P. 227--234
Galazka Z. // J. Crystal Growth. 1997. Vol. 178. P. 345--349
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук