"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние дипольных структур на полевую эмиссию широкозонных полупроводниковых катодов
Баскин Л.М., Нейттаанмяки П., Пламеневский Б.А.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Физический факультет, Петергоф, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.

Показано, что дипольные структуры, расположенные в тонком (менее 1 nm) приповерхностном слое полевого эмиттера, изготовленного из высокоомного материала, создают на поверхности катода области малых размеров, в которых напряженность электрического поля может превышать 108 V/cm. Потенциал поверхности эмиттера в этих областях положителен, что обеспечивает эффективный транспорт электронов из объема катода к эмиссионной границе. Определены оптимальные ориентации диполей, обеспечивающих максимальные напряженности поля на поверхности. При поверхностной концентрации диполей, локализованных в приповерхностной области ~106 1/cm2, можно ожидать среднюю по катоду плотность эмиссионного тока, превышающую 1 A/cm2. Дипольные структуры в приповерхностной области могут существовать вследствие внедрения примесных молекул, обладающих дипольным моментом, а также формироваться из случайной комбинации положительных зарядов ионизированных примесей и электронов, захваченных на глубокие ловушки. Асимметрия процесса заряда и разряда ловушек позволяет объяснить явление гистерезиса вольт-амперных характеристик эмиссии.
  • Рахимов А.Т. // УФН. 2000. Т. 170. N 9. С. 996
  • Елецкий А.В. // УФН. 2002. Т. 172. N 4. С. 401-438
  • Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu. et al. // Diamond and Rel. Mat. 1999. Vol. 8. P. 814
  • Geis M.W., Twichell J.C. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. N 9. P. 1328
  • Бондаренко В.Б.. Габдуллин П.Г. и др. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 10. С. 113
  • Архипов А.В., Мишин М.В., Соминский Г.Г., Парыгин И.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 10. С. 104
  • Баскин Л.М., Егоров Н.В., Птицын В.Э., Фурсей Г.Н. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. Вып. 22. С. 1345
  • Evtukh A.A., Indutnyy I.Z. et al. // Semiconductor Physics. Quantum Electronics and Optoelectronics. 2003. Vol. 6. N 1. P. 32
  • Jia H., Zhang Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 82. N 23. P. 4146
  • Zhu W., Kochanski G.P., Jin S., Seibles L. // Appl. Phys. 1995. Vol. 78. N 4. P. 2707
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.