Представлен подход к созданию электролюминесцентных устройств, в которых впервые применен рабочий слой из селенида цинка в нанокомпозитном (нанокристаллит в аморфной матрице) состоянии. В отличие от классических тонкопленочных электролюминесцентных источников, для получения излучения с заданной длиной волны в предлагаемых устройствах не требуется легирование рабочего слоя примесями. Для опытного образца устройства исследованы вольт-амперная характеристика и импеданс электролюминесцентного конденсатора. Представлен также спектр электролюминесценции, который имеет максимум при длине волны 335 nm.
Jiang W., Zhao S., Xu Z., Zhang F. // Displays. 2008. Vol. 29. P. 432--435
Kurtz E., Shen J., Schmidt M., Grun M., Hong S.K., Litvinov D., Gerthsen D., Oka T., Yao T. // Thin Solid Films. 2000. Vol. 367. P. 68--74
Lee S., Merz J.L., Furdyna J.K. // J. Crystal Growth. 1998. Vol. 184--185. P. 228--236;
Валеев Р.Г., Пивоварова О.И., Деев А.Н., Гильмутдинов Ф.З., Романов Э.А., Елисеев А.А., Кривенцов В.В., Шарафутдинов М.Р., Быстров С.Г. // ЖСХ. 2008. Т. 49. С. 139--143
Георгобиани А.Н. // Соросовский образовательный журнал. 2000. Т. 6. N 3. С. 105--111
Беленков К.В., Зубкова Т.М. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. N 1. С. 38--42
Валеев Р.Г., Крылов П.Н., Романов Э.А. // Поверхность. 2007. N 1. С. 41--45
Сычев М.М., Комаров Е.В., Григорьев Л.В., Мякин С.В., Васильева И.В., Кузнецов А.И., Усачева В.П. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 9. С. 1042--1046
Георгобиани А.Н. // УФН. 1974. Т. 113. N 1. С. 129--155
Nikesh V.V., Lad A.D., Kimura S., Nozaki S., Mahamuni S. // J. Appl. Phys. 2006. Vol. 100, P. 113 520
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук