На основании исследования электросопротивления тонких поликристаллических пленок EuS (толщина 0.4-0.8 mum) в диапазоне температур 120-480 K предложена модель зонной структуры данного вещества. Показано, что основными примесными уровнями в тонких поликристаллических пленках EuS являются уровни, отвечающие локализованным состояниям вблизи дна зоны проводимости, а также примесные донорные уровни E_i, соответствующие ионам Eu, находящимся вне регулярных узлов кристаллической решетки. При этом "хвост" локализованных состояний простирается по крайней мере до энергии -0.45 eV. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 11-08-00583-а), а также фирмы "SmS tenzotherm GmbH".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.