"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности формирования пленки Fe3O4 на поверхности Si(111), покрытой тонким слоем SiO2
Балашев В.В., Коробцов В.В., Писаренко Т.А., Чеботкевич Л.А.1
1Институт физики и информационных технологий Дальневосточного государственного университета, Владивосток, Россия
Email: balashev@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 11 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Используя различные способы окисления Fe на поверхности Si(111), покрытой тонким (1.5 nm) слоем SiO2, были выращены поликристаллические пленки магнетита. Установлено влияние дефектов пленки SiO2 на процесс силицидообразования при нагреве пленки Fe. Обнаружено, что окисление пленки Fe при высокой температуре приводит как к образованию Fe3O4, так и моносилицида железа. С другой стороны, осаждение Fe в атмосфере O2 при высокой температуре приводит к росту на поверхности SiO2 однородной по составу пленки Fe3O4. Обнаружено, что данный метод синтеза приводит к формированию в пленке магнетита [311]-текстуры, ось которой нормальна поверхности. Проведено исследование влияния метода формирования на магнитные свойства выращенных пленок Fe3O4. Высокое значение коэрцитивной силы пленок Fe3O4, сформированных путем окисления пленки Fe, обусловлено морфологическими особенностями и неоднородностью состава пленки магнетита.
  • Zhang Z., Satpathy // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44. N 24. P. 13 319--13 331
  • Parames M.L., Mariano J., Viskadourakis Z., Popovici N., Rogalski M.S., Giapintzakis J., Conde O. // Appl. Surf. Sci. 2006. Vol. 252. P. 4610--4614
  • Tiwari S., Prakash R., Choudhary R.J., Phase D.M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 4943--4952
  • Jain S., Adeyeye A.O., Boothroyd C.B. // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 093 713--093 719
  • Boothman C., Sanchez A.M., van Dijken S. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 123 903--123 910
  • Jain S., Adeyeye A.O., Dai D.Y. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. N 11. P. 7237--7239
  • Wang X., Sui Y., Tang J., Wang C., Zhang X., Lu Z., Liu Z., Su W., Wei X., Yu R. // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 012 122--012 124
  • Taniyama T., Mori T., Watanabe K., Wada E., Itoh M., Yanagihara H. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 07D705--07D708
  • Kennedy R.J., Stamp P.A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. Vol. 32. P. 16--21
  • Ishizaka A., Shiraki Y. // J. Electrochem. Soc. 1986. Vol. 133. N 4. P. 666--671
  • Minami N., Makino D., Matsumura T., Egawa C., Sato T., Ota K., Ino S. // Surf. Sci. 2002. Vol. 514. P. 211--215
  • Andrieu S., Frechard P. // Surf. Sci. 1996. Vol. 360. P. 289--296
  • Derrien J., Chevrier J., Le Thanh Vinh, Berbezier I., Giannini C., Lagomarsino S., Grimaldi M.G. // Apl. Surf. Sci. 1993. Vol. 73. P. 90--101
  • Verwey E.J.W., Heilmann E.L. // J. Chem. Phys. 1947. Vol. 15. P. 174--180
  • Verbe J.L. // Phys. Rev. B. 1974. Vol. 9. N 12. P. 5236--5248
  • Balashev V.V., Korobtsov V.V., Pisarenko T.A., Chusovitin E.A. // Phys. Sol. State. 2009. Vol. 51. N 3. P. 601--607
  • Nyhus P., Cooper S.L., Fisk Z. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51. N 21. P. 15 626--15 629
  • Litvinov D., O'Donnell T., Roy R. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. P. 2151--2156
  • Lu Y.X., Claydon J.S., Xu Y.B., Thompson S.M., Wilson K., van der Laan G. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 233 304--233 307
  • Chih-Huang Lai, Po-Hsiang Huang, Ye-Jen Wang // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 95. P. 7222--7224
  • Zhang G., Fan C., Pan L., Wang F., Wu P., Qiu H., Gu Y., Zhang Y. // J. Magn. Magn. Mater. 2005. Vol. 293. P. 737--745
  • Chamritski I., Burns G. // J. Phys. Chem. B. 2005. Vol. 109. P. 4965--4968
  • Kim Y., Oliveria M. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 1. P. 431--437
  • Barna P.B., Adamik M. Science and Technology of Thin Films / D. by F. C. Matacotta, G. Ottaviani. Singapore: World Scientific, 1995. Part 1. P. 1--29
  • Clemett S.J., Thomas-Keprta K.L., Shimmin J., Morphew M., McIntosh J.R., Bazylinski D.A., Kirschvink J.L., Wentworth S.J., McKay D.S., Vali H., Gibson E.K.Jr., Romanek C.S. // Am. Mineralogist. 2002. Vol. 87. P. 1727--1730
  • Mi W.B., Hui Liu, Li Z.Q., Wu P., Jiang E.Y., Bai H.L. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. 5109--5115
  • Chen Y.Z., Sun J.R., Han Y.N., Xie X.Y., Shen J., Rong C.B., He S.L., Shen B.G. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. P. 07D703--07D705
  • Tang J., Wang K.-Y., Zhou W. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 11. P. 7690--7692
  • Malyutin V.I., Osukhovskii V.E., Ivanov A.A., Chebotkevich L.A., Lobov I.V., Vorobiev Yu.D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. Vol. 93. P. 585--595
  • Li S.P., Samand A., Lew W.S., Xu Y.B., Bland J.A.C. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61. N 10. P. 6871--6875
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.