Исследованы спектры пропускания силикатных стекол, содержащих полупроводниковые CdS1-xSex нанокристаллы разных размеров в диапазоне температур 20-300oC. Показано, что при объяснении оптических свойств указанных материалов необходимо учитывать не только размеры нанокристаллов, но и структурные изменения, которые происходят в нанокристаллах в процессе формирования.
Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 1. С. 3-19
Masumoto Y., Takagahara T. // Semiconductor Quantum Dots. Berlin: Springer, 2002. 486 p
Асрян Л.В., Сурис Р.С. // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 1. С. 3-26
Peng X., Manna L., Yang W., Wickham J., Scher E., Kadavanich A., Alivisatos A.P. // Nature. 2000. Vol. 404. P. 59
Morgan N.Y., Leatherdale C.A., Drndic M., Jarosz Mirna V., Kastner Marc A., Bawendi M. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 075 339
Бондарь И.В., Гурин В.С., Соловей Н.П., Молочко А.П. // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 8. С. 959-965
Ekimov A.I., Efros A.L. // Phys. Status Solidi. B. 1988. Vol. 150. P. 627-631
Суздалев И.П. Нанотехнология физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с
Grigoryan L., Petrosyan P., Petrosyan S., Bellani V., Maglia F. // Eur. Phys. J. B. 2003. Vol. 34. P. 415-419
Grigoryan L., Petrosyan P., Petrosyan H., Bellani V. // Opt. Commun. 2008. Vol. 281. P. 5838-5841
Бреховских С.М., Никонов Ю.П., Нейч А.И. // ФХС. 1977. Т. 3. Вып. 2. С. 172-176
Brus L.E. // Nanostruct. Mater. 1992. Vol. 1. P. 71-81
Gyrevich S.A., Ekimov A.L., Kudryavcev I.A., Lublinskaya O.G., Osinski A.B. // Semiconductor. 1994. Vol. 28. P. 830-836
Nemec P., Maly P. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 7. P. 3342
Wei-Yu Wu, Schuiman J.N., Hsu T.Y., Efron Uzi // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. P. 710-712
Sedrakian D., Khachatryan A. // Physica E. 2003. Vol. 19. P. 309-313
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.