Вышедшие номера
Ионно-плазменная обработка монокристаллов Cd1-xZnxTe (x~0.04) и оптическое просветление алмазоподобными углеродными пленками
Клюй Н.И.1, Лозинский В.Б.1, Лукьянов А.Н.1, Мороженко В.А.1, Савкина Р.К.1, Сизов Ф.Ф.1, Смирнов А.Б.1, Дериглазов В.А.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: alex@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 7 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Изучено влияние ионно-плазменной обработки монокристаллов Cd1-xZnxTe (x~0.04), которая проводилась перед нанесением просветляющего покрытия - алмазоподобной углеродной пленки a-C : H : N, на оптические свойства получаемой структуры. Обработка проводилась в плазме аргона, азота или водорода. Контроль оптических свойств системы a-C : H : N/Cd1-xZnxTe показал, что наиболее эффективной, с точки зрения повышения пропускания структуры, является обработка в плазме аргона. Предложена модель оптической системы, учитывающая формирование переходных слоев после плазменной обработки и влияние типа ионов на их характеристики. Проведен анализ спектров поглощения системы a-C : H : N/Cd1-xZnxTe, позволивший установить присутствие полос, соответствующих валентным и деформационным колебаниям C-H-связей, а также C-C- и C=O-связям, наличие которых необходимо учитывать при конструировании и синтезе изучаемых оптических покрытий.
  1. Krishna B. Misra. Handbook of Performability Engineering. London: Springer-Verlag, 2008. Ch. 59
  2. Hugh O. Pierson. Handbook of carbon, graphite, diamond and fullerenes. Properties, Processing and Applications. New Jersey: Noyes Publications, 1993. 399 p
  3. Donnet C. Tribology of Diamond-Like Carbon Films Fundamentals and Applications. N. Y.: Springer Science + Business Media, LLC. 2008. 664 p
  4. Klyui N.I., Litovchenko V.G., Rozhin A.G., Dikusha V.N., Kittler M., Seifert W. // Sol. Energ. Mat. Sol. C. 2002. Vol. 72. P. 597--603
  5. Сизов Ф.Ф., Клюй Н.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. Вып. 9. С. 32--34
  6. Rogalski A. Infrared Photon Detectors. Bellingham. WA: SPIE Optical Engineering Press, 2002. Ch. 3
  7. Piotrowski J., Rogalski A. // Infrared Phys. Techn. 2004. Vol. 46. P. 115--131
  8. Mescher M.J. // J. Electron. Mater. 1999. Vol. 28. P. 700--704
  9. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 10. С. 1153--1178
  10. Двуреченский А.В., Ремесник В.Г., Рязанцев И.А., Талипов Н.Х. // ФТП. 1993. Т. 27. С. 168
  11. Bhattacharyya D., Chaudhuria S., Pal A.K. // Vacuum. 1995. Vol. 46. N 3. P. 309--313
  12. Suk-Ho Hong, Winter J. // Proc. of the 33rd Conference of Plasma Physics. Rome, 2006. Vol. 301. P. O--5.004
  13. Titus E., Ali N., Cabral G. et al. // Thin Sol. Films. 2006. Vol. 515. P. 201--206
  14. www.filmetrics.com
  15. Ricard A. Reactive plasmas. Paris: Societe Francaise du Vide, 1996. 180 p
  16. Британ В.Б., Пелещак Р.М., Цюцюра Д.I., Корбутяк Д.В. // ФХТТ. 2009. Т. 10. N 1. С. 41--44
  17. Мельников А.А., Кульчицкий Н.А., Кульчицкий А.Н. // Прикладная физика. 2006. N 2. С. 8--84
  18. Бусов В.М., Венус Г.Б., Гусинский Г.М. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 2. С. 64--68
  19. Кутний В.Е., Кутний Д.В., Рыбка А.В., Веревкин А.А. // Вопросы атомной науки и техники. 2008. N 1. Сер.: Вакуум, чистые материлы, сверхпроводники (17). С. 123--128
  20. Belas E., Franc J., Toth A., Moravec P., Grill R., Sitter H., Hoschhl P. // Semicond. Sci. Techn. 1996. Vol. 11. N 7. P. 1116--1120
  21. Yoshinori F., Kaoru A., Haruyuki Y., Tadaaki S. // Surf. Coat. Tech. 2000. Vol. 128--129. P. 308--313
  22. Savkina R.K., Smirnov A.B. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. Vol. 43. P. 425 301 (6 p.)
  23. Бугаев С.П., Коротаев А.Д., Оскомов К.В., Сочугов Н.С. // ЖТФ. 1997. Т. 6. Вып. 8. С. 100--104
  24. Коншина Е.А., Вангонен А.И. // ФТП. 2005. Т. 39. N 5. С. 616--622
  25. Robertson J. // Diam. Relat. Mater. 1995. Vol. 4. P. 297--301
  26. Yadav L.D.S. Organic spectroscopy. Dordrecht: Kluwer Academic Publisher, 2005. Ch. 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.