"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Ван-дер-Ваальсова поверхность InSe как возможный стандарт нанорельефа в метрологии нанообъектов
Дмитриев А.И.1
1Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича НАН Украины, Киев, Украина
Email: dmitr@ipms.kiev.ua
Поступила в редакцию: 26 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Интенсивное развитие нанотехнологии требует создания системы метрологического обеспечения измерений в первую очередь эталона длины в нанометровом диапазоне, что включает создание и использование стандартов нанорельефа поверхности. Одним из типов стандартов является периодическое расположение атомов в кристаллической решетке монокристалла. С этой целью удобно использовать сколы слоистых кристаллов. Скол слоистого полупроводника InSe представляет собой Ван-дер-Ваальсову поверхность. Она имеет высокую химическую стабильность, низкую шероховатость поверхности, легко формируется скалыванием, имеет протяженные атомарно-гладкие участки высоко упорядоченной ромбоэдрической решетки с периодом элементарной ячейки a=0.4003 nm и может быть использована, аналогично высокоориентированному пиролитическому графиту, в качестве стандарта нанорельефа.
  • Vesenka J., Manne S., Giberson R., Marsh T., Henderson E. // Biophys. J. 1993. Vol. 65. N 3. P. 1--6
  • Дубровин Е.В., Кирикова М.Н., Новиков В.К., Дрыгин Ю.Ф., Яминский И.В. // Коллоид. журнал. 2004. Т. 66. Вып. 6. С. 750--755
  • Окрепилов В.В. Стандартизация и метрология в нанотехнологиях. СПб.: Наука. 2008. 260 с
  • Завражнов А.Ю., Турчен Д.Н. // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. Вып. 2. С. 190--195
  • Бахтинов А.П., Ковалюк З.Д., Сидор О.Н., Катеринчук В.Н., Литвин О.С. // ФТТ. 2007. Т. 49. Вып. 8. С. 1497--1503
  • Kovalyuk Z.D., Bakhtinov A.P., Vodop'yanov V.N., Zaslonkin A.V., Netyaga V.V. // Carbon Nanomaterials in Clean Energy Hydrogen Systems / Ed. by B. Baranowski, S.Yu. Zaginaichenko, D.V. Schur, V.V. Skorokhod, A. Veziroglu. Dordrecht: Springer, 2009. 765 p
  • Uosaki K., Koinuma M. // J. Electroanal. Chem. 1993. Vol. 357. N 1--2. P. 301--306
  • Hayashi T., Ueno K., Saiki K., Koma A. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 219. N 1--2. P. 115--122
  • Zarbaliev Z. // Fizika. 2004. Vol. CiLD X. N 3. P. 8--10
  • Вишняк В.В., Лашкарев Г.В., Карбовский В.Л., Дмитриев A.И., Ковалюк З.Д., Бахтинов А.П. // Тез. докл. II Междунар. научн. конф. НАНО-2010, Белорусь--Россия--Украина. Киев, 2010. C. 418
  • Дмитриев A.И., Вишняк В.В., Лашкарев Г.В., Карбовский В.Л, Ковалюк З.Д., Бахтинов А.П. // ФТТ. 2011. T. 53. Вып. 3. С. 579--589
  • Uosaki K., Koinuma M. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. N 3. P. 1675--1678
  • Dmitriev A.I., Kovaljuk Z.D., Lashkarev G.V., Beketov G.V. // Proc. of the XXXIII Int. Sch. Phys. Semicond. Comp Jaszowiec, (2004). P. 32. Наносистеми, наноматерiали, нанотехнологi. 2006. Т. 4. Вип. 2. С. 367--372
  • Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Литвин О.С. // ФТП. 2010. Т. 44, Вып. 2. С. 180--193
  • Spiecker E., Hollensteiner S., Jager W., Schmid A.K., Minor A.M., Dahmen U. // Proc. of the E-MRS 2005 Spring Meeting, Symp. A: Current trends in nanoscience from materials to applications. Strasburg, France, 2005. P. A-3/3
  • Дмитриев A.И., Каминский В.М., Лашкарев Г.В., Буторин П.Е., Ковалюк З.Д., Иванов В.И., Бескровный А.И. // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 11. С. 2207--2210
  • Kolesnychenko O.Yu., Kort R.De, Katsnelson M.I. // Nature. 2002. Vol. 415. N 6871. P. 507--509
  • Маслова H.С., Панов В.И. // УФН. 1988. Т. 157. Вып. 1. С. 185--195
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.