Исследованиями вольт-фарадных (F-V) характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками SixGe1-x, выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. F-V-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO2/SixGe1-x с различной толщиной слоя SiO2. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным F-V-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев.
Thompson S.E., Armstrong M., Auth C., Cea S., Chau R., Glass G., Hoffman T., Klaus J., Zhiyong Ma Mcintyre B., Murthy A., Obradovic B., Shifren L., Sivakumar S., Tyagi S., Ghani T., Mistry K., Bohr M., El-Mansy Y. // IEEE Elect. Device Lett. 2004. Vol. 25. N 4. P. 191--193
Chien C.-Y., Chang Y.-J., Chen K.-H., Lai W.-T., George T., Scherer A., Li P.-W. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. N 43. P. 435 602 (6 pp.)
Horstmann M., Wei A., Kammler T. et al. // Electron Devices Meeting. 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International. P. 233--236
Dresselhasu M.S., Chen G., Tang M.Y., Yang R., Lee H., Wang D., Ren Z., Fleurial J., Gogna P. // Adv. Mater. 2007. Vol. 19. N 8. P. 1043--1053
Lai W.T., Li P.W. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. N 14. P. 145 402 (7 pp.)
Chien C.-Y., Chang Y.-J., Chen K.-H., Lai W.-T., George T., Scherer A., Li P.-W. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. N 43. P. 435 602 (6 pp.)
Chen K.H., Chien C.Y., Lai W.T., Li P.W. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. N 5. P. 055 302 (9 pp.)
Jovanovic V., Biasotto C., Nanver L.K., Moers J., Grutzmacher D., Gerharz J., Mussler G., van der Cingel J., Zhang J.J., Bauer G., Schmidt O.G., Miglio L. // IEEE Electron Dev. Lett. 2010. Vol. 31. N 10. P. 1083--1085
Шкляев А.А., Ичикава М. // УФН. 2008. Т. 178. N 2. С. 139--169
Kuryliuk V., Korotchenkov O., Cantarero A. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. N 7. P. 075 406 (11 pp.)
Козырев Ю.Н., Картель М.Т., Рубежанская М.Ю., Скляр В.К., Дмитрук Н.В., Тайхерт К., Хофер К. // Докл. НАН Украины. 2010. N 1. С. 71--76
Misrachi S., Peaker A.R., Hamilton B. // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1980. Vol. 13. N 10. P. 1055--1061
Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. N.Y., Wiley, 1981. 869 р
Yasutake K., Cheng Z., Pang S.K., Rohatgi A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 4. P. 2048--2054
Stephens A.W., Aberle A.G., Green M.A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 1. P. 363--370
Podolian A., Kozachenko V., Nadtochiy A., Borovoy N., Korotchenkov O. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. N 9. P. 093 706 (7 pp.)
Munakata C., Yagi K., Warabisako T., Nanba M., Matsubara S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1982. Vol. 21. N 4. P. 624--632
Podolian A., Nadtochiy A., Kuryliuk V., Korotchenkov O., Schmid J., Drapalik M., Schlosser V. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2011. Vol. 95. N 2. P. 765--772
Daldosso N., Das G., Larcheri S., Mariotto G., Dalba G., Pavesi L., Irrera A., Priolo F., Iacona F., Rocca F. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 11. P. 113 510 (7 pp.)
Hasegawa S., Sakamori S., Futatsudera M., Inokuma T., Kurata Y. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 5. P. 2598--2605
Rochet F., Dufour G., Roulet H., Pelloie B., Perriere J., Fogarassy E., Slaoui A., Froment M. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. N 11. P. 6468--6477
Rodri guez A., Ortiz M.I., Sangrador J., Rodri guez T., Avella M., Prieto A.C., Torres A., Jimenez J., Kling A., Ballestreros C. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. N 6. P. 065 702 (10 pp.)
Zhao N.Q., Jin Y., Du X.W., Fu Y.S. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 2. P. 026 101 (3 pp.)
Cheville R.A., Halas N.J. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. N 8. P. 4548--4550
Kriza G., Mihaly G. // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 56. N 23. P. 2529--2532
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук