"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
Басанец В.В., Болтовец Н.С., Гуцул А.В., Зоренко А.В., Ральченко В.Г., Беляев А.Е., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев, Украина
Email: konakova@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 24 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Представлены экспериментальные результаты измерений параметров микрополосковой коммутирующей сверхвысокочастотной интегральной схемы в диапазоне частот 3-7 GHz на подложке из поликристаллической алмазной пленки толщиной ~100 mum. Показано, что затухание в экспериментальных модуляторах в открытом состоянии не превышает 1.5 dB, а в закрытом составляет не менее 30 dB. Приведен физико-химический анализ технологии формирования многослойной контактной металлизации к синтетическому алмазу и кремниевому p-i-n-диоду. Показана ее термостойкость до температуры 400oC.
  • Молчанов В.И., Поплавко Ю.М. Основы микроволновой электроники. Киев: НТУУ "КПИ", 2010. 352 с
  • Liao Samuel Y. Microwave Devices and Cirсuits. Prentice-Hall. Inc. Singapore, 1997. 542 р
  • Sukhadolau A.V., Ivakin E.V., Ralchenko V.G., Khomich A.V., Vlasov A.V., Popovich A.F. // Diamond and Related Materials. 2005. V. 14. N 3--7. P. 589--593
  • Olson J.R., Pohl R.O., Vandersande J.W., Zoltan A., Anthony T.R., Banholzer W.F. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. N 12. P. 14 850--14 856
  • Гарин Б.М., Копнин А.Н., Паршин В.В., Ральченко В.Г., Чигряй Е.Е., Конов В.И., Мазур А.Б., Пархоменко М.П. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. N 7--8. С. 85--89
  • Element six. Inc. www.cvd-diamond.com
  • Болтовец Н.С., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Коростинская Т.В., Кривуца В.А., Литвин О.С., Миленин В.В., Большаков А.П., Ральченко В.Г. // Техника и приборы СВЧ. 2009. N 2. С. 26--30
  • Ральченко В.Г., Савельев А.В., Попович А.Ф., Власов И.И., Воронина С.В., Ашкинази Е.Е. // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. N 4. С. 243--248
  • Болтовец Н.С., Басанец В.В., Голынная Т.И., Кривуца В.А., Суворова Л.М., Лычман К.А. // Техника и приборы СВЧ. 2008. N 2. С. 34--36
  • Ishi Thomas Koryu. Handbook of Microwave Technology: Components and Devices. Academic Press. NY., 1995. 691 p
  • Громов Д.Г., Мочалов А.И., Сулимин А.Д., Шевяков В.И. Металлизация ультрабольших интегральных схем. М.: Бином, 2011. 277 с
  • Murarka S.P. Silicides for VLSI Applications. Academ. Press. San Diego, 1983. 200 p
  • Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Коростинская Т.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // ФТП. 2011. Т. 45. N 2. С. 256--262
  • Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / Под общей редакцией д.т.н. проф. Р.В. Конаковой. Харьков: НТК "Институт монокристаллов", 2008. 392 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.