"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование индуцированной фото-термопроводимости в гетеропереходах Mn4Si7--Si< Mn>--Mn4Si7 и Mn4Si7-Si<Mn>-M
Камилов Т.С., Клечковская В.В., Шарипов Б.З., Тураев А.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: tulkyn@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.

Исследована кинетика протекания фототока при "собственном" освещении с hnu≥1.12 eV в гетеропереходах Mn4Si7--Si< Mn>--Mn4Si7 и Mn4Si7-Si<Mn>-M при высоких приложенных напряжениях. Установлено, что протекаемый фототок, рассеиваемая мощность и температура на обратносмещенном контакте гетероперехода при постоянно приложенном напряжении, низких температурах и освещении гетеропереходов с hnu≥1.12 eV являются функцией времени. На основе анализа температурных зависимостей величины и формы нарастания фототока во времени показано, что импульсы фототока состоят из двух участков: первый соответствует медленно нарастающему малому значению тока с крутизной ~(2-4)·10-4 A/s, а второй участок характеризуется резким нарастанием тока с крутизной ~0.1-1 A/s. По значениям крутизны оценены скорости нагрева beta1 = 42 deg/s и beta2 = 3·103 deg/s и величины градиентов температур на переходном слое, соответствующем границе раздела между Мn4Si7 и Si<Mn> Delta T/Delta x =6.3·106 K/сm для beta1 и Delta T/Delta x≥1.5·108 K/cm для beta2. Показано, что джоулевым самонагревом можно достигать больших скоростей нагрева в обратносмещенном контакте гетеропереходов, что обеспечивает быстрое нагревание, подобное прямоугольной ступени возбуждения, которое эквивалентно включению длинноволнового (примесного) освещения.
  • Шукурова Д.М., Орехов А.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В., Камилов Т.С. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 10. С. 44--49
  • Kamilov T.S., Sadullaev B.L., Ganiev U.Sh., Kamilov B.T. // Semicond. Sci. Tehnol. 1998. Vol. 13. P. 496
  • Kamilov T.S., Chirva V.P., Kabilov D.K. // Semicond. Sci. Tehnol. 1999. Vol. 14. P. 1012
  • Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с
  • Мясин Е.С. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 2. C. 87--94
  • Shukurova D.M., Kamilov T.S, Sharipov B.Z., Klechkovskaya V.V., Orekhov A.S., Feodorov M.I. // Proc. of the 29-=SUP=-th-=/SUP=- International Conference on Thermoelectrics. Shanghai, Chaina, 2010. Р. 216
  • Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Хусанов А.Ж., Ивакин Г.И., Занавескина И.С. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. N 6. C. 100
  • Шукурова Д.М., Камилов Т.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В, Орехов А.С. // Узбек. физич. журн. 2010. Т. 12. N 3. С. 132--138
  • Камилов Т.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В., Орехов А.С. // Узбек. физич. журн. 2011. Т. 13. N 4. С. 311--317
  • Зайцев Ю.В., Громов В.С., Григораш Т.С. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи. М.: Радио и связь, 1985. 120 с
  • Юдаев Б.Н. Теплопередача. М.: Высшая школа, 1973. 350 с
  • Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов Пер. с англ. / Под ред. А.Ф. Трутко. М.: Энергия, 1973. 655 с
  • Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 2. С. 256--262
  • Анатычук Л.И., Булат Л.П. Полупроводники в экстремальных температурных условиях. СПб.: Наука, 2001. 224 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.