"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на пробивное напряжение стока транзисторов на основе ионно-легированных структур арсенида галлия
Кагадей В.А.1, Нефедцев Е.В.1, Проскуровский Д.И.1, Романенко С.В.1, Широкова Л.С.1
1ФГУП "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск
Email: vak@lve.hcei.tsc.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Установлено, что с помощью гидрогенизации ионно-легированных структур арсенида галлия можно увеличить с 7 до 17 V пробивное напряжение стока мощных сверхвысокочастотных (СВЧ) полевых транзисторов Шоттки (ПТШ) и в 2.4 раза мощность СВЧ интегральных схем (ИС). Приведены данные, характеризующие влияние режимов гидрогенизации на рост пробивного напряжения стока и мощности СВЧ транзисторов и ИС. Обсуждены возможные механизмы влияния гидрогенизации на электрофизические свойства арсенида галлия и параметры полупроводниковых приборов.
  • Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления / Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. С. 495
  • Myers S.M., Baskes M.I., Birnbaum H.K. et al. // Reviews of Modern Physics. 1992. V. 64. P. 559--617
  • Corbett J.W., Pearton S.J., Stavola M. // Defect control in semiconductors / Ed. Sumino K. Elsevier Science Publishers B.V. North--Holland, 1990. P. 53--63
  • Chakrabarti U.K., Pearton S.J., Hobson W.S., Lopata J., Swaminathan V. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. P. 887--889
  • Божков В.Г., Кагадей В.А., Торхов Н.А. // ФТП. 1998. Т. 32 (2). С. 1343--1348
  • Кагадей В.А., Лиленко Ю.В., Широкова Л.С., Проскуровский Д.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25 (13). С. 37--41
  • Кагадей В.А., Лиленко Ю.В., Широкова Л.С., Проскуровский Д.И. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. (7). С. 1--7
  • Kagadei V.A., Proskurovsky D.I. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16 (4). P. 2556--2561
  • Омельяновский Э.М., Пахомов В.Ф., Поляков Ф.Я. // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. N 5. С. 842--847
  • Morrow R. // J. Appl. Phys. 1989. V. 66 (7). P. 2973--2979
  • Рытова Н.С. // ФТП. 1991. Т. 25 (6). С. 990--996
  • Рытова Н.С. // ФТП. 1991. Т. 25 (6). С. 1078--1080
  • Kagadei V.A., Nefyodtsev E.V., Proskurovsky D.I. // J. Vac. Sci. Technolog. A. 2001. V. 19 (4). P. 1871--1877
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.