Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены AlInGaAs/InP многоямковые лазерные гетероструктуры раздельного ограничения для длин волн излучения 1.2-1.5 mum. Абсолютные значения порогового тока достигали 10 mA для лазерных диодов с шириной полоска W=4.5 mum и длиной резонатора 200 mum. Пороговые плотности тока составили 500-650 A/cm2 при длине резонатора 1.0 mm. Продемонстрирована возможность генерации в непрерывном режиме при температуре окружающей среды 170oC без принудительного охлаждения. В диапазоне температур 10-80oC величина характеристического параметра T0 достигала 110 K.
Zah C., Bhat R., Pathak B.N., Favier F., Lin W., Wang M.C., Andreadakis N.C., Hwang D.M., Koza M.A., Lee T., Wang Z., Darby D., Flanders D., Hsieh J.J. // IEEE J. Quant. Elect. 1994. QE-30. P. 511
Temkin H., Coblentz D., Logan R.A., Van der Zeil J.P., Tanbun-Ek T., Yadvish R.D., Sergent A.M. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2402
Bernussi A.A., Temkin H., Coblentz D.L., Logan R.A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 67
Seki S., Oohasi H., Sugiura H., Hirono T., Yokoyama K. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1054
Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1001
Belenky G.L., Donetsky D.V., Reynolds C.L., Kazarinov R.F., Shtengel G.E., Luryi S., Lopata J. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1997. V. 9. P. 1558
Asryan L.V., Gunko N.A., Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Suris R.A., Lau P.K., Makino T. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. 1131
Elenkrig B.B., Smetona S., Simmons J.G., Makino T., Evans J.D. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 2367
Adachi S. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds. John Wiley \& Sons Inc., 1992
Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1457
Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. // ПЖТФ. 2000. Т. 26 (7). С. 57
Sugiyama Y., Inata T., Fujii T., Nakata Y., Muto S., Hiyamizu S. // Japan. J. Appl. Phys. 1986. V. 30. P. L648
Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815
Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 364