"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния gamma-облучения на температурную зависимость скорости поверхностной генерации неосновных носителей заряда на границе раздела кремний-диоксид кремния
Парчинский П.Б.1, Лигай Л.Г.1, Мансуров Х.Ж.1, Йулчиев Ш.Х.1
1Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека, Ташкент
Email: pavelphys@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на генерационные характеристики границы раздела кремний-диоксид кремния. Установлено, что облучение ведет к возникновению температурной зависимости скорости поверхностной генерации. Показано, что данный эффект обусловлен возникновением в диэлектрике ловушечных центров, способных обмениваться носителями заряда с объемом полупроводника, посредством туннельной эмиссии.
  • Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наук. думка. 1978. 316 с
  • Zerbst М. // Z. Angew. Phys. 1966. V. 22. N 1. P. 3039--3046
  • Kang J.S., Schroder D.K. // Phys. St. Sol. (a). 1985. V. 89. N 13. P. 13--44
  • Власов С.И., Парчинский П.Б., Лигай Л.Г. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. N 2. С. 121--123
  • Парчинский П.Б., Власов С.И., Муминов Р.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 10. С. 40--45
  • Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с
  • Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1998. 256 с
  • Гольдман Е.И., Ждан А.Г. // ФТП. 1995. Т. 29. N 3. С. 428--437
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.