"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Туннелирование спин-поляризованных носителей заряда в пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой: магнитотранспортные и магнитооптические данные
Сухоруков Ю.П.1,2, Телегин А.В.1,2, Ганьшина Е.А.1,2, Лошкарева Н.Н.1,2, Кауль А.Р.1,2, Горбенко О.Ю.1,2, Мостовщикова Е.В.1,2, Мельников О.В.1,2, Виноградов А.Н.1,2
1Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: suhorukov@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

С целью выяснения особенностей механизма проводимости и магнитосопротивления во впервые полученной эпитаксиальной пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой, выращенной на подложке ZrO2(Y2O3), исследованы оптические, магнитооптические и транспортные свойства. Предложена оригинальная методика разделения вкладов в магнитосопротивление пленки, связанных с колоссальным магнитосопротивлением вблизи TC и с туннельным магнитосопротивлением, на основе сопоставления данных магнитосопротивления и магнитопропускания инфракрасного излучения пленкой. Установлено, что туннельное магнитосопротивление обусловлено высокоугловыми границами структурных доменов и описывается функцией Deltarho/rho~(a+b/sqrt(T)sqrt, величина спин-поляризации носителей заряда в пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой составляет P~0.5.
  • Gorbenko O.Yu., Melnikov O.V., Kaul A.R. et al. // Chem. Mat. 2005 (To be published)
  • Ye S.L., Song W.H., Dai J.M. et al. // JMMM. 2002. V. 248. P. 26--33
  • Pi L., Hervieu M., Maignan A., Martin C., Raveau B. // Solid State Comm. 2003. V. 126. P. 229--234
  • Gorbenko O.Yu., Melnikov O.V., Kaul A.R. et al. // Materials Science and Engineering B. 2005. (To be published)
  • Tao T., Cao Q.Q., Gu K.M., Xu H.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. N 5. P. 723--725
  • Sukhorukov Yu.P., Loshkareva N.N., Telegin A.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. N 11. P. 904--906
  • Кауль А.Р., Горбенко О.Ю., Каменев А.А. // Успехи химии. 2004. Т. 73. В. 9. С. 932--939
  • Горбенко О.Ю., Демин Р.В., Кауль А.Р. и др. // ФТТ. 1998. Т. 40. В. 2. С. 290--294
  • Ziese M. // Rep. Prog. Phys. 2002. V. 65. P. 143--249
  • Balykina E.A., Gan'shina E.A., Krinchik G.S. et al. // JMMM. 1992. V. 117. P. 259--269
  • Ганьшина Е.А., Родин И.К., Лошкарева Н.Н. и др. // Известия АН. Сер. физ. 2002. Т. 66. С. 6. С. 767--773
  • Sukhorukov Yu.P., Loshkareva N.N., Gan'shina E.A. et al. // JETP. 2003. V.96. N 2. P. 257--267
  • Сухоруков Ю.П., Лошкарева Н.Н., Ганьшина Е.А. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. В. 7. С. 1203--1213
  • Sukhorukov Yu.P., Gan'shina E.A., Belevtsev B.I. et al. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N 7. P. 4403--4408
  • Gan'shina E.A., Vashuk H.V., Vinogradov A.N. et al. // Book of abstracts. Symposium EASTMAG. Krasnoyarsk, Russia, 2004. P. 231
  • Loshkareva N.N., Solin N.I., Sukhorukov Yu.P. et al. // Physica B. 2001. V. 293. P. 390--393
  • Лошкарева Н.Н., Сухоруков Ю.П., Наумов С.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 68. В. 1. С. 89--92
  • Sukhorukov Yu.P., Nossov A.P., Loshkareva N.N. et al. // J. Appl. Phys. 2005. (To be published)
  • Hwang H.Y., Cheong S.-W., Ong N.P., Batlogg B. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. N 10. P. 2041--2044
  • Helman J.S., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. N 21. P. 1429--1432
  • Gittleman J.I., Goldsrein Y., Bozowski S. // Phys. Rev. B. 1972. V. 5. N 9. P. 3609--3621
  • Mitani S., Takanashi S., Yakushiji K. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. N 13. P. 2799--2802
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.