Вышедшие номера
Туннелирование спин-поляризованных носителей заряда в пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой: магнитотранспортные и магнитооптические данные
Сухоруков Ю.П.1,2, Телегин А.В.1,2, Ганьшина Е.А.1,2, Лошкарева Н.Н.1,2, Кауль А.Р.1,2, Горбенко О.Ю.1,2, Мостовщикова Е.В.1,2, Мельников О.В.1,2, Виноградов А.Н.1,2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: suhorukov@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

С целью выяснения особенностей механизма проводимости и магнитосопротивления во впервые полученной эпитаксиальной пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой, выращенной на подложке ZrO2(Y2O3), исследованы оптические, магнитооптические и транспортные свойства. Предложена оригинальная методика разделения вкладов в магнитосопротивление пленки, связанных с колоссальным магнитосопротивлением вблизи TC и с туннельным магнитосопротивлением, на основе сопоставления данных магнитосопротивления и магнитопропускания инфракрасного излучения пленкой. Установлено, что туннельное магнитосопротивление обусловлено высокоугловыми границами структурных доменов и описывается функцией Deltarho/rho~(a+b/sqrt(T)sqrt, величина спин-поляризации носителей заряда в пленке La0.8Ag0.1MnO3+delta с вариантной структурой составляет P~0.5.