Вышедшие номера
Изменение электронной плотности в узлах кристаллической решетки при сверхпроводящем фазовом переходе
Теруков Е.И.1, Волков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Установлено, что для металлоксидов меди существует зависимость между изменением электронной плотности в металлическом узле кристалла и температурой перехода его в сверхпроводящее состояние; для соединений, содержащих две структурно-неэквивалентные позиции для атомов меди, изменение электронной плотности при сверхпроводящем переходе различно для этих узлов; существует предельное изменение электронной плотности на ядрах 67Zn при сверхпроводящем переходе, причем это изменение различно для узлов Cu(1) и Cu(2) и соответствует двум различающимся минимально возможным значениям стандартной корреляционной длины. Проведены расчеты изменения электронной плотности в узлах кристаллической решетки Кронига-Пенни при сверхпроводящем фазовом переходе: переход от нормальной к сверхпроводящей фазе сопровождается возрастанием зарядовой плотности в центре элементарной ячейки, причем это возрастание тем больше, чем выше температура перехода в сверхпроводящее состояние, что согласуется с данными мессбауэровской спектроскопии. PACS: 74.62.Yb
  1. Серегин Н.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П., Серегин П.П., Троицкая Н.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. С. 830
  2. Надь Д. // Мессбауэровская спектроскопия замороженных растворов / Ред. А. Вертеш и Д. Надь. М.: Мир, 1998. С. 11

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.