При комнатной температуре в темноте на воздухе исследовался электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) алмаза массой 0.15 carat. Монокристалл выращен на аппарате типа "разрезная сфера" в системе Fe-Co-C методом температурного градиента. Обнаружено, что для термобарически обработанного алмаза с увеличением СВЧ-мощности от 70 muW до 70 mW в H102-резонаторе сигнал ЭПР от атомов азота (P1-центров, азота в C-форме) инвертируется. Скорость сканирования поляризующего магнитного поля --- от 0.5 до 5 mT/min. В исходном алмазе (до термобарической обработки) инверсия сигнала ЭПР не наблюдается. PACS: 76.30.-v, 81.05.Uw
Special issue on wide bandgap semiconductor devices // Proc. IEEE. 2002. V. 90. N 6
Loubser J.H.N., van Wyk J.A. // Rep. Prog. Phys. 1978. V. 41. N 8. P. 1201--1248
Harrison J., Sellars M.J., Manson N.B. // J. Lumin. 2004. V. 107. N 1--4. P. 245--248
Isoya J., Kanda H., Sakaguchi I., Morita Y., Ohshima T. // Radiat. Phys. Chem. 1997. V. 50. N 4. P. 321--330
Smith W.V., Sorokin P.P., Gelles I.L., Lasher G.J. // Phys. Rev. 1959. V. 115. N 6. P. 1546--1552
Щербакова М.Я., Соболев Е.В., Надолинный В.А. // ДАН СССР. 1972. Т. 204. N 4. С. 851--854
Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Лапчук Т.М. // Письма в ЖЭТФ. 2004. Т. 107. N 12. С. 880--883
Соловьев В.С., Гусаков Г.А., Крекотень О.В., Семенов Е.А., Воропай Е.С., Самцов М.П., Деменщенок А.Н. // Вестн. Белорус. ун-та. Сер. 1. 2000. N 2. С. 31--38
Мудрый А.В., Ларионова Т.П., Шакин И.А., Гусаков Г.А., Дубров Г.А., Тихонов В.В. // ФТП. 2004. Т. 38. N 5. С. 538--542
Weil J.A., Bolton J.R., Wertz J.E. Electron paramagnetic resonance --- Elementary theory and practical applications. New York: Wiley-Interscience, 1994. 592 p
Harbridge J.R., Rinard G.A., Quine R.W., Eaton S.S., Eaton G.R. // J. Magn. Reson. 2002. V. 156. N 1. P. 41--51
Barklie R.C., Guven J. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1981. V. 14. N 25. P. 3621--3631
The properties of natural and synthetic diamonds / Ed. by J.E. Field. London: Academic Press, 1992. 710 p
Гусева В.Б., Зацепин А.Ф., Важенин В.А., Schmidt B., Гаврилов Н.В., Чолах С.О. // ФТТ. 2005. Т. 47. N 4. С. 650--653
Hayakawa Sh., Jia X.-P., Wakatsuki M., Gohshi Y., Hirokawa T. // J. Crystal Growth. 2000. V. 210. N 1--3. P. 388--394
Исхаков Р.С., Фролов Г.И., Жигалов В.С., Прокофьев Д.Е. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 16. С. 51--57
Van Wyk J.A., Reynhardt E.C., High G.L., Kiflawi I. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1997. V. 30. N 12. P. 1790--1793
Babich Y.V., Feigelson B.N., Yelisseyev A.P. // Diamond Relat. Mater. 2004. V. 13. N 10. P. 1802--1806
Twitchen D.J., Baker J.M., Newton M.E., Johnston K. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. N 1. P. 9--11
Yelisseyev A., Lawson S., Sildos I., Osvet A., Nadolinny V., Feigelson B., Baker J.M., Newton M., Yuryeva O. // Diamond Relat. Mater. 2003. V. 12. N 12. P. 2147--2168
Fisher D., Lawson S.C. // Diamond Relat. Mater. 1998. V. 7. N 2--5. P. 299--304