Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 9 » Статья стр. 53
<<<>>>
Исследование оптических свойств сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напряжений
Мамутин В.В.1, Бондаренко О.В.1, Васильев А.П.1, Гладышев А.Г.1, Егоров А.Ю.1, Крыжановская Н.В.1, Михрин В.С.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mamutin@narod.ru
Поступила в редакцию: 21 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
PDF версия
Проведены исследования оптических свойств гетероструктур, состоящих из квантовых ям (КЯ) InAs/InGaAsN, помещенных в сверхрешетки GaAsN/ InGaAsN c компенсаций напряжений (strain-compensated). Показано, что использование таких сверхрешеток с различным дизайном и толщинами слоев, а также дополнительных монослойных вставок InAs позволяет изменять длину волны излучения квантовых ям InGaAsN в диапазоне 1.3-1.6 mum при комнатной температуре без ухудшения излучательных характеристик, что открывает дополнительные перспективы создания лазеров в телекоммуникационной области длин волн на подложках арсенида галлия. PACS: 73.21.Cd, 73.21.Fg, 73.40.Kp, 78.68.De, 78.67.Pt.
  1. Soshnikov I.P., Egorov F.Yu., Mamutin V.V., Ledentsov N.N., Kryzhanovskaya N.V., Odnoblyudov V.A., Ustinov V.M. et al. // Semiconductors. 2004. V. 38. P. 354
  2. Spruytte S.G., Larson M.C., Wampler W., Colden C.W., Peterson H.E., Harris J.S. // Journ. Cryst. Growth. 2001. V. 506. P. 227--228
  3. Chow W.W., Harris J.S., Jr. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. P. 1673
  4. Kondow M., Uomi K., Niwa A., Kitatni T., Watahiki S., Yazawa Y. // Jpn. J. Appl. Phys. Part I. 1996. V. 35. P. 1273
  5. Ishikawa F., Horicke M., Jahn U., Trampert A., Ploog K. // Appl. Phys. Lett. 2006; V. 88. P. 191115; Hugues H., Damilano B., Duboz J.-Y. Massies J. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 091111
  6. Liu H.F., Xiang N., Chua S.J. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 071905
  7. Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Устинов В.М. Патент РФ N 2257640. Заявка N 2004113171, приоритет от 28.04.2004
  8. Mamutin V.V., Bondarenko O.V., Egorov A.Yu., Kryzhanovskaya N.V., Shernyakov Yu.M., Ustinov V.M. // Technical Physics. Lett. 2006. V. 32. P. 229
  9. Hazdra P., Voves J., Oswald J., Hulicius E., Pangrac J., Simecek T. // J. Cr. Growth. 2003. V. 248. P. 328
  10. Anderson T.G., Chen Z.G., Kulakovskii V.D., Uddin A., Vallin J.T. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 752
  11. Moy A.M., Chen A.C., Cheng K.Y., Chou L.J., Hsieh K.C. // J. Cr. Growth. 1997. V. 812. P. 175--176
  12. Kryzhanovskaya N.V., Egorov A.Yu., Mamutin V.V., Polyakov N.K., Tsatsul'nikov A.F., Kovsh R.V., Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Bimberg D. // Semiconductors. 2005. V. 39. P. 703

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme