"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками при комнатной температуре в диапазоне 1-2.6 mum
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Молдавская Л.Д.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Email: lmd@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Изучена фотопроводимость гетеростурктур InAs/GaAs с квантовыми точками в диапазоне 1-2.6 mum при комнатной температуре. Особенностью структур является увеличение количества InAs при формировании слоя квантовых точек и использование чередования низко- и высокотемпературного режимов для их заращивания барьерным слоем GaAs. Впервые методом металлоорганической газофазной эпитаксии изготовлены многослойные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/GaAs, демонстрирующие при комнатной температуре фотолюминесценцию до 1.6 mum и интенсивную фотопроводимость до 2.6 mum. Вольт-ваттная чувствительность при комнатной температуре составила 3· 103 V/W в полосе пропускания Si фильтра, удельная обнаружительная способность 9· 108 cm· Hz1/2· W-1. PACS: 78.67.Hc, 73.61.Ey, 81.15Gh
  • Finkman E., Maimon S., Immer V., Bahir G., Schacham S.E., Fossard F., Julien F.H., Brault J., Gedry M. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 045323
  • Maimon S., Finkman E., Bahir G., Schacham S.E., Garsia J.M., Petroff P.M. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2003
  • Krishna S., Raghavan S., von Winckl G., Stintz A., Ariyawansa G., Matsik S.G., Perera A.G.U. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 2745
  • Moldavskaya L.D., Daniltsev V.M., Drozdov M.N., Zakamov V.R., Shashkin V.I. // Narrow Gap Semiconductors. 2005. Eds Kono \& Leotin. Institute of Physics Conference Series. N 187. Published by Taylor \& Franics. P. 360--364
  • Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Черкашин Н.А., Крыжановская Н.В., Жуков А.Б., Малеев Н.А., Михрин С.С., Васильев А.П., Селин Р., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Бимберг Д., Алфёров Ж.И. // ФТП. 2002. Т. 36. N 9. С. 1097
  • Nuntawong N., Huang S., Jiang Y.B., Hains C.P., Huffaker D.L. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. N 11. P. 113105
  • Karpovich I.A., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Morozov S.V., Filatov D.O., Zdoroveishev A.V. // Nanotechnology. 2001. V. 12. P. 425
  • El-Emawy A.A., Birudavolu S., Wong P.S., Jiang Y.-B., Xu H., Huang S., Huffaker D.L. // J. Appl. Phys. 2003. V. 93. N 9. P. 3529
  • Maximov M.V., Tsatsul'nikov A.F., Volovik B.V., Bedarev D.A., Egorov A.Yu., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Bert N.A., Ustinov V.M., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Soshnikov I.P., Werner P. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. N 11. P. 2347
  • Жуков А.Е., Воловик Б.В., Михрин С.С., Малеев Н.А., Цацульников А.Ф., Никитина Е.В., Каяндер И.Н., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 17. С. 51
  • Тонких A.A., Егоров В.А., Поляков Н.К., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 10. С. 71
  • Fekete D., Dery H., Rudra A., Kapon E. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. N 3. P. 034304
  • Chen J.F., Hsiao R.S., Chen Y.P., Wang J.S., Chi J.Y. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 87. N 14. P. 141911
  • Устинов В.М. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 8. С. 963
  • Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Молдавская Л.Д., Шашкин В.И. // XI Междунар. симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10--14 марта 2007 г. Матер. симпозиума. Т. 2. С. 412
  • Norris T.B., Kim K., Urayama J., Wu Z.K., Singh J., Bhattacharya P.K. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. P. 2077.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.