"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
InAsSbP/InAs гетероструктуры для термофотовольтаических преобразователей: получение и свойства
Геворкян В.А., Арутюнян В.М., Гамбарян К.М., Андреев И.А., Голубев Л.В., Яковлев Ю.П.
Email: igor@iropt9.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2007 г.

Выращивание узкозонных соединений арсенида индия методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) развито для термофотовольтаических применений. Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs и их гетероструктуры InAs/InAsSbP (Eg=0.35-0.6 eV) перспективны для температур эмиттеров излучения 1000-2000oC. Продление чувствительности элементов в длинноволновую область до 3.8 mum позволяет эффективно использовать фотоны малой энергии. Пленки четверных твердых растворов InAsSbP/InAs, полученных методом ЖФЭ из переохлажденного раствора-расплава и методом электро-ЖФЭ с подпиткой ростового раствора-расплава компонентами выращиваемого слоя, имеют однородный состав и высокое совершенство кристаллической структуры. Значения обратных токов насыщения для гетероструктур n-InAs/p-InAsSpP близки к теоретическим. PACS: 84.60.Rb, 81.15.Lm
  • Coutts T.J., Wanlass M.W., Ward J.S. et al. // Proc. 25-=SUP=-th-=/SUP=- IEEE Photovolt. Specialists Conf. Washington, USA, 1966. p. 25
  • Cody G.D. // Termophotovoltaic Generation of Electricity; Fourth NREL Conf. 1999. P. 58
  • Andreev V.M., Khvostikov V.P., Larionov V.R. et al. // Conference Record 26-=SUP=-th-=/SUP=- IEEE PVSC. Anaheim, 1997. P. 935--939
  • Hitchcock C.W., Gutmann R.J., Ehsani H. et al. // J. of Crystal Growth. 1998. V. 195. P. 363--372
  • Mauk M.G., Shellenbarger Z.A., Cox J.A. et al. // J. of Crystal Growth. 2000. V. 211. P. 189--193
  • Гусейнов A.A., Литвак А.М., Чарыков Н.А., Яковлев Ю.П. и др. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 12. С. 67--73
  • Баранов А.Н., Литвак А.М., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 5. С. 33--39
  • Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 2. С. 249--253
  • Gevorkyan V.A. // J. of Crystal Growth. 2003. V. 249. P. 149--158
  • Wilson M.R., Krier A., Mao Y. // J. of Electron. Materials. 1996. V. 25. N 9. P. 104--108
  • Wang C.A., Choi H.K., Ransom S.L. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 1305
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.