Вышедшие номера
Формирование дискового резонатора для полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур InAs(Sb)/InAsSbP
Гребенщикова Е.А.1, Шерстнев В.В.1, Кижаев С.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: eagr@iropt7.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Для создания кольцевого резонатора WGM-лазера был использован электрохимический метод травления в травителе HClO4/CH3COOH. В результате изотропного травления слоев, содержащих InAs и четырехкомпонентный твердый раствор на его основе InAsSb0.14P0.3 были получены мезы в виде круглых дисков диаметром от 275 до 50 mum. Общая глубина травления достигала 15 mum, при этом вертикальная часть боковой поверхности составила 7 mum. PACS: 85.30.z, 42.79-e