Проведено исследование зависимости темнового тока фотодиодов многоэлементных матричных фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона, изготовленных методом имплантации ионов бора в гетероэпитаксиальные слои кадмий-ртуть-теллура, от индукции магнитного поля. Предложен метод раздельного определения латеральной и нормальной компонент темнового тока в таких фотодиодах. Установлено, что для исследуемых фотодиодов, размеры которых сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда, темновой ток при 77 K в основном определяется латеральной компонентой. PACS: 07.57.Кр.
Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. Ч. III. Гл. 13. С. 416. (Rogalski A. Infrared Detectors. Taylor \& Francis, Inc, 2000)
Dhar V., Gopal V. // Opt. Eng. 2000. V. 39. N 8. P. 2022--2030
Dhar V., Gopal V. // Sem. Sci. Technol. 2001. V. 16. P. 553--561
Frank J., Belas E., Toth A.L. et al. // Sem. Sci. Tech. 1999. V. 13. P. 314--317
Haakenaasen R., Colin T., Stenn H. et al. // J. Electr. Mat. 2000. V. 29. N 6. P. 649--852
Musca C.A., Dell J.M., Faraone L. et al. // J. Electr. Mat. 1999. V. 28. N 6. P. 617--623
Redfern D.A., Musca C.A., Dell J.M. et al. // J. Electr. Mat. 2004. V. 33. N 6. P. 560--570
Schacham S.E., Finkman E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. V. 7. N 2. P. 387--390
Chen M.C., Turner A. et al. // J. Electron. Mat. 1995. V. 24. N 9. P. 1249--1253
Gordon N.T., Barton S., Capper P. et al. // Sem. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. S221--S224
Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. и др. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 9. С. 1092--1101
Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A. et al. // Opto-electronics review. 2003. V. 11. N 2. P. 99--111
Варавин В.С., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 5. C. 532--537
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук