Созданы светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, работающие в спектральном диапазоне 4.1-4.3 mum. Для увеличения вышедшего из кристалла излучения выбрана флип-чип конструкция светодиодов. Созданы два типа светодиодов --- с гладкой и развитой световыводящей поверхностью. Исследованы электролюминесцентные свойства. Показано, что светодиоды с развитой световыводящей поверхностью более эффективны за счет увеличения выхода излучения из кристалла из-за переотражения от криволинейной поверхности. Мощность светодиодов в квазинепрерывном режиме (QCW) составила 30 muW при токе 200 mA, в импульсном режиме --- 0.6 mW при токе 2 A.
Popov A.A., Stepanov M.V., Sherstnev V.V., Yakovlev Y.P. // Technical Phys. Lett. 1998. V. 24. N 8. P. 596--598
Mikhailova M.P., Litvak A.M., Andreev I.A., Popov A.A., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu., P. Eremeev V.I., Molchanov S.S. // SPIE. 1994. V. 2504. P. 571--576
Taylor F., Schultz J.S. // CRC Press. 1996. P. 21
Krier A. // Final report EPSRC. 2004
Malinen J., Kansakoski M., Rikola R., Eddison C. // Sensors and Actuators. 1998. V. 51. P. 220--224
Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Именков А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2007. Т. 41. В. 7. С. 878--882
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Попова Т.Б., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 12. С. 1462
Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 8. С. 996
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандышев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 6. С. 717
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.