Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2010, выпуск 2 » Статья стр. 70
<<<>>>
Новый подход к экспресс-характеризации монокристаллического карбида кремния
Мынбаева М.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
PDF версия
Предложен новый подход к решению проблемы эффективной и быстрой характеризации слитков SiC, который может быть использован для экспресс-диагностики их качества в условиях массового производства. Методика позволяет выявлять такие дефекты, как включения других политипов, молоугловые границы зерен, дисклокационные микротрубки и неоднородность в распределении примесей, и может использоваться для оптимизации технологических режимов выращивания объемных монокристаллов SiC.
  1. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. // J. Cryst. Growth. 1978. V. 43. P. 209
  2. Bakin A.S., Dorozhkin S.I. // High-Temperature Electronic Materials, Devices and Sensors Conference. 22--27 Feb. 1998. San Diego, USA. P. 2--13
  3. Hansen D.M., Chung G.Y., Loboda M.J. // Mater. Sci. Forum. 2006. V. 527--529. P. 59
  4. Heindl J., Srunk H.P., Heydemann V.D., Pensl G. // Phys. Stat. Sol. (a). 1997. V. 162. P. 251
  5. Kanaya M., Takahashi J., Fujiwara Y., Moritani A. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. P. 56
  6. Augustine G., Hobgood H.McD., Balakrishna V., Dunne G., Hopkins R.H. // Phys. Stat. Sol. (b). 1997. V. 202. P. 137
  7. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. // Prog. Cryst. Growth Ch. 1983. V. 7. P. 111
  8. Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Роенков А.Д., Аникин М.М. // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. В. 6. С. 367
  9. Stein R.A., Lanig P. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 131. P. 71
  10. Ha S., Nuhfer N.T., Rohrer G.S., De Graef M., Skowronski M. // J. Cryst. Growth. 2000. V. 220. P. 308
  11. Dudley M., Huang X.R., Huang W., Powell A., Wang S., Neudeck P., Skowronski M. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. P. 784
  12. Kohn V.G., Argunova T.S., Je J.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 171901
  13. Dudley M., Huang X.R., Vetter W.M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. A30
  14. Grim J.R., Benamara M., Skowronski M., Everson W.J., Heydemann V.D. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. 1709
  15. Ferrero S., Porro S., Giorgis F., Pirri C.F., Mandracci P., Ricciardi C., Scaltrito L., Sgorlon C., Richieri G., Merlin L. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14. P. 13397
  16. Higashi E., Tajima M., Hoshino N., Hayashi T., Kinoshita H., Shiomi H., Matsumoto S. // Mat. Sci. Semicond. Proc. 2006. V. 9. P. 53
  17. Bishop S.M., Reynolds C.L., Liliental-Weber Z. et al. // J. Electron. Mater. 2007. V. 36. P. 285
  18. Nakashima S. // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. P. S25
  19. Nitani S., Hatayama T., Yamaguchi K., Yano H., Uraoka Y., Fuyuki T. // Jpn. J. Appl. Phys. 2005. V. 44. P. L1271. 20 Mitchel W.C., Evarawaeaye A.O., Smith S.R., Roth M.D. // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. P. 113
  20. Matsuura H., Yanase H., Takanashi M. // Jpn. Appl. Phys. 2008. V. 47. P. 7052.
  21. Spencer M.G., Palmour J., Carter C. // IEEE Trans. Electron. Devices. 2002. V. 49. P. 940
  22. Mynbaeva M.G., Mynbaev K.D., Sarua A., Kuball M. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 50
  23. Sakwe S.A., Muller R., Wellmann P. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 289. P. 520
  24. Wan J., Park S.-H., Chung G., Loboda M.A. // J. Electron. Mater. 2005. V. 34. P. 1342.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme