Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины ~ 1.3 mum). Использование дозы ионов 6· 1014 cm-2 и отжига при 700oC позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8--10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем.
Zvonkov B.N., Biryukov A.A., Ershov A.V., Nekorkin S.M., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Dubinov A.A., Maremyanin K.V., Morozov S.V., Belyanin A.A., Kocharovsky V.V., Kocharovsky Vl.V. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 021122
Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дубинов А.А. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 9. С. 98--100
Tan H.H., Williams J.S., Jagadish C., Burke P.T., Gal M. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 2401--2403
Tan H.H., Jagadish C. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2680--2682
Poole P.J., Charbonneau S., Aers G.C., Jackman T.T., Buchanan M., Dion M., Goldberg R.D., Mitchell I.V. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 2367--2371
de Souza J.P., Danilov I., Boudinov H. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 650--655
Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon Press, Oxford, 1985. V. 1
Danilov I., Pataro LL., de Castro M.P.P., do Nascimento G.C., Frateschi N.C. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2001. V. 175--177. P. 782--786
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.