Издателям
Вышедшие номера
Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
Королев Д.С.1, Костюк А.Б.1, Белов А.И.1, Михайлов А.Н.1, Дудин Ю.А.1, Бобров А.И.1, Малехонова Н.В.1, Павлов Д.А.1, Тетельбаум Д.И.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции эрбиевых центров в пленках SiO2 с ионно-синтезированными нанокластерами кремния при нерезонансном возбуждении. Эрбий вводился в термические пленки SiO2 методом ионной имплантации. Установлены зависимости интенсивности фотолюминесценции от доз, порядка ионного внедрения Si и Er, температуры отжига, а также режимов дополнительного ионного облучения Ar+ и P+ --- факторов, определяющих влияние радиационного повреждения и легирования на сенсибилизацию люминесценции эрбия нанокластерами кремния. Установлено, что как эффект сенсибилизации, так и его усиление за счет легирования фосфором наиболее выражены в условиях, когда нанокластеры аморфны. Гашение фотолюминесценции за счет радиационного повреждения в этом случае проявляется также в меньшей степени, чем для кристаллических нанокластеров. Роль различных факторов в наблюдаемых закономерностях обсуждается в рамках существующих представлений о механизмах излучения света и энергообмена в системе нанокластеров Si и эрбиевых центров. Исследование выполнено при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России".
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
  • Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications / Ed. L. Pavesi, R. Turan. WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim (2010). 613 p
  • А.В. Листвин, В.Н. Листвин, Д.В. Швырков. Оптические волокна для линий связи. ЛЕСАРарт, М. (2003). 288 с
  • M. Fujii, M. Yoshida, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys. 84, 4525 (1998)
  • P.G. Kik, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett. 76, 2325 (2000)
  • M.P. Hehlen, N.J. Cockroft, T.R. Gosnell. Phys. Rev. B 56, 9302 (1997)
  • K. Sun, W.J. Xu, B. Zhang, L.P. You, G.Z. Ran, G.G. Qin. Nanotechnology 19, 105 708 (2008)
  • Silicon Nanophotonics / Ed. L. Khriachtchev. World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore (2009). 452 p
  • A. Irrera, F. Iacona, G. Franzo, S. Boninelli, D. Pacifici, M. Miritello, C. Spinella, D. Sanfilippo, G. Di Stefano, P.G. Fallica, F. Priolo. Opt. Mater. 27, 1031 (2005)
  • B. Garrido, C. Garci a, P. Pellegrino, D. Navarro-Urrios, N. Daldosso, L. Pavesi, F. Gourbilleau, R. Rizk. Appl. Phys. Lett. 89, 163 103 (2006)
  • Ji-Hong Jhe, Jung H. Shin, Kyung Joong Kim, Dae Won Moon. Appl. Phys. Lett. 82, 4489 (2003)
  • K. Imakita, M. Fujii, Y. Yamaguchi, S. Hayashi. Phys. Rev. B 71, 115 440 (2005)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, В.А. Володин. ФТП 42, 1145 (2008)
  • А.И. Рябчиков. Изв. вузов. Физика 37, 52 (1994)
  • J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 268, 1818 (2010)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault. ФТП 36, 685 (2002)
  • А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.Б. Костюк, И.Ю. Жаворонков, Д.С. Королев, А.В. Нежданов, А.В. Ершов, Д.В. Гусейнов, Т.А. Грачева, Н.Д. Малыгин, Е.С. Демидов, Д.И. Тетельбаум. ФТТ 54, 347 (2012)
  • Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. ФТТ 47, 17 (2005)
  • F. Priolo, G. Franzo, D. Pacifici, V. Vinciguerra, F. Iacona, A. Irrera. J. Appl. Phys. 89, 264 (2001)
  • R.J. Kashtiban, U. Bangert, I. Crowe, M.P. Halsall, B. Sherliker, A.J. Harvey, J. Eccles, A.P. Knights, R. Gwilliam, M. Gass. J. Phys.: Conf. Series 209, 012 043 (2010)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. ФТП 37, 738 (2003)
  • A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov, O.N. Gorshkov, A.I. Belov, D.A. Kambarov, V.A. Belyakov, V.K. Vasiliev, A.I. Kovalev, D.M. Gaponova. J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 780 (2008)
  • V.A. Belyakov, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, V.A. Burdov. J. Phys.: Cond. Matter 21, 045 803 (2009)
  • И.Н. Антонов, О.Н. Горшков, А.Н. Шушунов, А.П. Касаткин, А.Ю. Дудин, М.Е. Шенина. ПЖТФ 38, 5, 71 (2012)
  • М.Е. Лихачев, М.М. Бубнов, К.В. Зотов, О.Н. Медведков, Д.С. Липатов, М.В. Яшков, А.Н. Гурьянов. Квантовая электрон. 40, 633 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.