Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади
Маремьянин К.В.1, Ермолаев Д.М.1, Фатеев Д.В.1, Морозов С.В.1, Малеев Н.А.1, Земляков В.Е.1, Гавриленко В.И.1, Попов В.В.1, Шаповал С.Ю.1
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл. Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Email: kirillm@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.
Измерен терагерцовый фотоотклик тразисторной структуры с узкощелевым решеточным затвором большой площади. Пики фотоотклика индентифицированы с возбуждением плазмонных резонансов в структуре. За счет более эффективного возбуждения плазмонных резонансов в узкощелевой структуре величина фотоотклика возрастает на порядок величины.
- Smye S.W., Chamberlain J.M., Fitzgerald A.J., Berry E. // Phys. Med. Biol. 2001. V. 46. P. R101
- Mittleman D. (Ed.) Sensing with Terahertz Radiation. Berlin: Springer, 2003
- Lee M., Pfeiffer L.N., West K.W. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81(7). P. 1243
- Dyakonov M.I., Shur M.S. // IEEE Trans. on Electr. Devices. 1996. V. 43 (3). P. 380
- Муравьев В.М., Кукушкин И.В., Смет Ю., фон Клитцинг К. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 216
- El Fatimy A., Teppe F., Dyakonova N., Knap W., Seliuta D., Valusis G., Shchepetov A., Roelens Y., Bollaert S., Cappy A., Rumyantsev S. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. P. 131926
- Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. // ФТП. 2007. Т. 41 (2). С. 238
- Антонов А.В., Гавриленко В.И., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Тeppe F., Knap W. // ФТП. 2009. Т. 43 (4). С. 552
- Popov V.V., Tsymbalov G.M., Shur M.S., Knap W. // ФТП. 2005. Т. 39 (1). С. 157
- Popov V.V., Polischuk O.V., Shur M.S. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 033510
- Popov V.V., Tsymbalov G.M., Fateev D.V., Shur M.S. // Int. J. High Speed Electronics and Systems. 2007. V. 17 (3). P. 557
- Peralta X.G., Allen S.J., Wanker M.C., Harff N.E., Simmons J.A., Lilly M.P., Reno J.L., Burke P.J., Eisenstein J.P. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81 (9). P. 1627
- Shaner E.A., Mark Lee, Wanke M.C., Grine A.D., Reno J.L., Allen S.J. // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 81 (9). P. 193507
- Матов О.Р., Мешков О.Ф., Полищук О.В., Попов В.В. // ЖЭТФ. 1996. Т. 109. С. 876
- Shur M.S. Introduction to Electronic Devices. New York: Wiley, 1996
- Popov V.V., Polischuk O.V., Teperik T.V., Peralta X.G., Allen S.J., Horing N.J.M., Wanke M.C. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 3556
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук